摘要 | 第3-4页 |
Abstract | 第4-5页 |
第一章 绪论 | 第9-32页 |
1 锗纳米材料的研究概况 | 第9-23页 |
1.1 锗纳米材料合成方法 | 第9-13页 |
1.2 锗纳米材料的特性 | 第13-15页 |
1.3 锗纳米材料的应用 | 第15-18页 |
1.4 锗基纳米材料的制备与应用 | 第18-23页 |
2 掺杂量子点 | 第23-29页 |
2.1 掺杂量子点的优势 | 第24页 |
2.2 掺杂量子点的合成 | 第24-26页 |
2.3 掺杂量子点的发光机理 | 第26-27页 |
2.4 量子点的应用 | 第27-29页 |
3 选题意义、研究内容及创新点 | 第29-32页 |
3.1 选题意义 | 第29-30页 |
3.2 研究内容 | 第30页 |
3.3 创新点 | 第30-32页 |
第二章 室温一步法合成锗掺杂硫化镉量子点并将其应用于细胞成像 | 第32-44页 |
1 前言 | 第32-34页 |
2 实验部分 | 第34-35页 |
2.1 主要试剂 | 第34页 |
2.2 合成Ge-doped CdS d-dots | 第34页 |
2.3 样品表征 | 第34页 |
2.4 荧光量子产率的测定 | 第34-35页 |
2.5 细胞荧光成像 | 第35页 |
3 结果与讨论 | 第35-42页 |
3.1 Ge: CdS d-dots的制备 | 第35-36页 |
3.2 实验条件对Ge: CdS d-dots光学性质的影响 | 第36-37页 |
3.3 Ge: CdS d-dots的形貌与尺寸表征 | 第37-38页 |
3.4 Ge: CdS d-dots的光学性质 | 第38-39页 |
3.5 Ge: CdS d-dots结构及形貌表征 | 第39-40页 |
3.6 掺杂机理研究 | 第40-41页 |
3.7 细胞荧光成像 | 第41-42页 |
4 结论 | 第42-44页 |
第三章 水热法制备铜掺杂硫化锗纳米材料及其细胞标记与癌细胞分析应用 | 第44-63页 |
1 前言 | 第44-45页 |
2 实验部分 | 第45-46页 |
2.1 主要试剂 | 第45页 |
2.2 Cu: GeS的制备步骤 | 第45页 |
2.3 样品表征 | 第45-46页 |
2.4 荧光量子产率的测定 | 第46页 |
2.5 细胞毒性分析 | 第46页 |
2.6 细胞荧光标记 | 第46页 |
3 结果与讨论 | 第46-61页 |
3.1 Cu: GeS的制备 | 第46-47页 |
3.2 条件优化 | 第47-51页 |
3.3 Cu: GeS的光学性质表征 | 第51-53页 |
3.4 Cu: GeS的结构和形貌表征 | 第53-55页 |
3.5 荧光发射机理探究 | 第55-56页 |
3.6 叶酸功能化Cu:GeS用于癌细胞荧光成像 | 第56-59页 |
3.7 基于Cu:GeS-L-FA荧光探针应用于MCF-7 癌细胞检测 | 第59-61页 |
4 结论 | 第61-63页 |
第四章 锗/碳复合纳米结构的制备、表征以及其应用于细胞光热治疗与细胞标记 | 第63-80页 |
1 前言 | 第63-64页 |
2 实验部分 | 第64-66页 |
2.1 主要试剂 | 第64-65页 |
2.2 实验步骤 | 第65页 |
2.3 样品表征 | 第65页 |
2.4 荧光量子产率 | 第65页 |
2.5 细胞毒性分析 | 第65-66页 |
2.6 细胞荧光标记 | 第66页 |
2.7 Ge/C纳米结构的液体升温测试 | 第66页 |
3 结果与讨论 | 第66-78页 |
3.1 Ge/C纳米结构的制备 | 第66-67页 |
3.2 条件优化 | 第67-70页 |
3.3 Ge/C纳米结构形貌和结构表征 | 第70-72页 |
3.4 Ge/C纳米结构光致发光特性 | 第72-73页 |
3.5 Ge/C纳米结构红外光谱表征 | 第73-74页 |
3.6 Ge/C纳米结构荧光稳定性 | 第74-75页 |
3.7 Ge/C纳米结构的光致发光机理 | 第75页 |
3.8 细胞毒性分析 | 第75-76页 |
3.9 细胞荧光成像 | 第76-77页 |
3.10 Ge/C纳米结构光热转换效应 | 第77-78页 |
4 结论 | 第78-80页 |
第五章 结论与展望 | 第80-82页 |
1 结论 | 第80-81页 |
2 展望 | 第81-82页 |
参考文献 | 第82-91页 |
硕士学位期间的科研成果 | 第91-92页 |
致谢 | 第92页 |