| 摘要 | 第7-9页 |
| Abstract | 第9-11页 |
| 第一章 绪论 | 第15-28页 |
| 1.1 研究背景 | 第15-16页 |
| 1.2 硅橡胶绝缘材料的成分及基本结构 | 第16-21页 |
| 1.2.1 硅橡胶绝缘材料的种类 | 第16-17页 |
| 1.2.2 热硫化硅橡胶的配方体系 | 第17-21页 |
| 1.3 硅橡胶的表面憎水性及憎水恢复性 | 第21-22页 |
| 1.4 硅橡胶绝缘材料的老化 | 第22-23页 |
| 1.5 研究现状 | 第23-26页 |
| 1.5.1 硅橡胶表面老化结构研究 | 第23-25页 |
| 1.5.2 硅橡胶憎水恢复机理研究 | 第25-26页 |
| 1.6 本文研究内容 | 第26-28页 |
| 第二章 实验方法 | 第28-49页 |
| 2.1 硅橡胶的加速老化方法 | 第28-29页 |
| 2.2 正电子湮没谱学 | 第29-46页 |
| 2.2.1 正电子谱学基础 | 第29-30页 |
| 2.2.2 正电子与凝聚态物质的相互作用 | 第30-33页 |
| 2.2.3 正电子素的形成机制 | 第33-36页 |
| 2.2.4 正电子湮没测量技术 | 第36-46页 |
| 2.3 其他表征手段 | 第46-49页 |
| 2.3.1 扫描电子显微镜(SEM) | 第46页 |
| 2.3.2 傅里叶红外光谱(FTIR) | 第46-47页 |
| 2.3.3 接触角测量仪(Contact angle measurement) | 第47-49页 |
| 第三章 硅橡胶老化对表面微结构的影响 | 第49-68页 |
| 3.1 实验部分 | 第49-51页 |
| 3.1.1 样品制备 | 第49页 |
| 3.1.2 紫外辐照 | 第49-50页 |
| 3.1.3 等离子体老化 | 第50-51页 |
| 3.2 表征技术 | 第51-52页 |
| 3.2.1 静态接触角 | 第51页 |
| 3.2.2 慢正电子束 | 第51-52页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第52-66页 |
| 3.3.1 硅橡胶绝缘材料的多普勒展宽谱 | 第52-54页 |
| 3.3.2 硅橡胶绝缘材料的紫外老化 | 第54-61页 |
| 3.3.3 硅橡胶绝缘材料的等离子体老化研究 | 第61-66页 |
| 3.4 本章小结 | 第66-68页 |
| 第四章 小分子含量对硅橡胶憎水恢复性的影响 | 第68-83页 |
| 4.1 实验部分 | 第68-69页 |
| 4.1.1 样品制备 | 第68页 |
| 4.1.2 抽提实验 | 第68-69页 |
| 4.1.3 污秽实验 | 第69页 |
| 4.1.4 等离子体老化实验 | 第69页 |
| 4.2 表征技术 | 第69页 |
| 4.2.1 正电子湮没寿命谱 | 第69页 |
| 4.2.2 傅里叶红外光谱 | 第69页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第69-82页 |
| 4.3.1 硅橡胶表面抽提处理研究 | 第69-74页 |
| 4.3.2 小分子含量对憎水恢复的影响 | 第74-78页 |
| 4.3.3 抽提硅橡胶经等离子体处理后的憎水恢复 | 第78-82页 |
| 4.4 本章小结 | 第82-83页 |
| 第五章 无机填料对硅橡胶憎水恢复性的影响 | 第83-95页 |
| 5.1 实验部分 | 第83-84页 |
| 5.2 不同白炭黑含量对硅橡胶憎水恢复性的影响 | 第84-90页 |
| 5.2.1 正电子湮没寿命谱测量 | 第84-88页 |
| 5.2.2 不同白炭黑含量硅橡胶的力学性能 | 第88页 |
| 5.2.3 不同含量白炭黑硅橡胶经等离子体处理后的憎水恢复 | 第88-90页 |
| 5.3 不同氢氧化铝(ATH)含量对硅橡胶憎水恢复性的影响 | 第90-94页 |
| 5.3.1 正电子湮没寿命测量 | 第90-92页 |
| 5.3.2 不同ATH含量硅橡胶的力学性能 | 第92页 |
| 5.3.3 不同含量ATH硅橡胶经等离子体处理后的憎水恢复 | 第92-94页 |
| 5.4 本章小结 | 第94-95页 |
| 第六章 全文总结 | 第95-97页 |
| 附录：纳米TiO_2相变及缺陷特性的正电子研究 | 第97-104页 |
| 1.1 引言 | 第97-98页 |
| 1.2 实验部分 | 第98页 |
| 1.3 结果与讨论 | 第98-103页 |
| 1.3.1 XRD结果 | 第98-100页 |
| 1.3.2 正电子湮没寿命 | 第100-103页 |
| 1.4 本章小结 | 第103-104页 |
| 参考文献 | 第104-117页 |
| 博士期间发表论文成果 | 第117-118页 |
| 致谢 | 第118-119页 |
