| 摘要 | 第8-10页 |
| ABSTRACT | 第10-11页 |
| 第一章 绪论 | 第12-16页 |
| 1.1 微片激光器概述 | 第12页 |
| 1.2 激光调Q技术 | 第12-15页 |
| 1.3 本论文研究内容 | 第15-16页 |
| 第二章 SESAM被动调Q微片激光器理论分析 | 第16-24页 |
| 2.1 激光调Q原理 | 第16-18页 |
| 2.1.1 普通脉冲泵浦的固体激光器输出特性 | 第16页 |
| 2.1.2 调Q的一般原理 | 第16-17页 |
| 2.1.3 Q开关激光器原理 | 第17-18页 |
| 2.2 SESAM被动调Q理论 | 第18-22页 |
| 2.2.1 SESAM的基本结构 | 第19-20页 |
| 2.2.2 SESAM的主要参数 | 第20-21页 |
| 2.2.3 SESAM被动调Q脉冲形成的物理过程 | 第21-22页 |
| 2.3 SESAM被动调Q速率方程 | 第22-23页 |
| 2.4 本章小结 | 第23-24页 |
| 第三章 SESAM被动调Q微片激光器数值模型 | 第24-33页 |
| 3.1 公式法模型分析 | 第24-26页 |
| 3.1.1 模型建立 | 第24页 |
| 3.1.2 激光输出参数分析 | 第24-26页 |
| 3.2 数值模型分析 | 第26-32页 |
| 3.2.1 数值模型初始条件 | 第27-28页 |
| 3.2.2 数值分析结果 | 第28-31页 |
| 3.2.3 Nd:YVO_4晶体为例的被动调Q数值分析结果 | 第31-32页 |
| 3.3 本章小结 | 第32-33页 |
| 第四章 微片激光器热效应分析 | 第33-52页 |
| 4.1 晶体热效应理论分析 | 第33-34页 |
| 4.2 连续微片激光器热效应研究 | 第34-41页 |
| 4.2.1 连续微片激光器热效应模型 | 第34-35页 |
| 4.2.2 热传导Possion方程的数值解 | 第35-37页 |
| 4.2.3 连续微片激光器热效应实例分析 | 第37-41页 |
| 4.3 被动调Q微片激光器热效应研究 | 第41-50页 |
| 4.3.1 被动调Q微片激光器热效应模型 | 第41-43页 |
| 4.3.2 热传导Possion方程的数值解 | 第43-44页 |
| 4.3.3 被动调Q微片激光器热效应实例分析 | 第44-50页 |
| 4.4 本章小结 | 第50-52页 |
| 第五章 微片激光器实验 | 第52-65页 |
| 5.1 LD抽运的Nd:YVO_4晶体微片激光器实验 | 第52-59页 |
| 5.1.1 Nd:YVO_4晶体特性 | 第52页 |
| 5.1.2 Nd:YVO_4晶体连续微片激光实验 | 第52-55页 |
| 5.1.3 Nd:YVO_4晶体被动调Q微片激光器实验 | 第55-58页 |
| 5.1.4 实验结果与数值模拟结果的对比分析 | 第58-59页 |
| 5.2 LD抽运的Nd:Y_(0.8)Lu_(0.2)VO_4晶体微片激光器实验 | 第59-64页 |
| 5.2.1 Nd:Y_(0.8)Lu_(0.2)VO_4晶体特性 | 第59页 |
| 5.2.2 Nd:Y_(0.8)Lu_(0.2)VO_4晶体连续微片激光器实验 | 第59-60页 |
| 5.2.3 Nd:Y_(0.8)Lu_(0.2)VO_4晶体SESAM被动调Q微片激光器实验 | 第60-64页 |
| 5.3 本章小结 | 第64-65页 |
| 第六章 结论 | 第65-67页 |
| 参考文献 | 第67-73页 |
| 致谢 | 第73-74页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文和参加科研情况 | 第74-75页 |
| 附件 | 第75页 |
