SiC功率二极管的结构与电特性分析研究
| 摘要 | 第8-9页 |
| ABSTRACT | 第9-10页 |
| 第一章 绪论 | 第11-19页 |
| 1.1 研究背景 | 第11-15页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第15-17页 |
| 1.2.1 国际上研究发展 | 第15-16页 |
| 1.2.2 国内研究状态 | 第16-17页 |
| 1.3 研究意义及主要内容 | 第17-19页 |
| 第二章 SiC功率二极管基本理论基础 | 第19-29页 |
| 2.1 SiC材料的基本特性 | 第19-20页 |
| 2.2 SiC功率二极管的基本原理 | 第20-29页 |
| 2.2.1 SiC SBD的结构及工作原理 | 第20-26页 |
| 2.2.2 SiC PiN二极管的结构及工作原理 | 第26-27页 |
| 2.2.3 SiC JBS的结构及工作原理 | 第27-29页 |
| 第三章 SiC JBS器件结构设计 | 第29-43页 |
| 3.1 Silvaco仿真模型 | 第29-33页 |
| 3.2 正向导通特性 | 第33-39页 |
| 3.3 反向阻断特性 | 第39-43页 |
| 第四章 SiC JBS器件特性分析 | 第43-57页 |
| 4.1 P~+区对器件特性的影响 | 第43-54页 |
| 4.1.1 相邻P~+区的间距S对器件特性的影响 | 第43-48页 |
| 4.1.2 P~+区的宽度W对器件电特性的影响 | 第48-51页 |
| 4.1.3 P~+区的掺杂浓度对器件电特性的影响 | 第51-54页 |
| 4.2 外延层对器件电特性的影响 | 第54-57页 |
| 第五章 总结与展望 | 第57-59页 |
| 5.1 总结 | 第57-58页 |
| 5.2 展望 | 第58-59页 |
| 参考文献 | 第59-63页 |
| 致谢 | 第63-65页 |
| 攻读硕士期间科研成果 | 第65-66页 |
| 附件 | 第66页 |
