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分数量子霍尔态中边缘态与无序的研究

中文摘要第3-5页
英文摘要第5-6页
1 绪论第9-37页
    1.1 引言第9-16页
    1.2 理论知识第16-23页
    1.3 分数量子霍尔态第23-27页
    1.4 Jack多项式第27-30页
    1.5 分数量子霍尔态中的纠缠谱与纠缠熵第30-32页
    1.6 新型二维材料第32-34页
    1.7 论文框架第34-37页
2 通过密度鉴别分数量子霍尔边缘态第37-57页
    2.1 引言第37页
    2.2 Moore-Read态的边缘态及其重构第37-46页
        2.2.1 通过Jack多项式构建边缘态第38-42页
        2.2.2 Moore-Read态的边缘重构第42-46页
    2.3 Moore-Read态和Read-Rezayi态的边缘态的密度差值第46-50页
    2.4 Moore-Read态中重构处的边缘态的分辨第50-51页
    2.5 Read-Rezayi态中的边缘态的速度第51-55页
    2.6 本章小结第55-57页
3 分数量子霍尔态中的纠缠谱和拓扑纠缠熵第57-77页
    3.1 引言第57-58页
    3.2 Jack多项式产生的模型波函数第58-61页
    3.3 Laughlin态的纠缠谱和拓扑纠缠熵第61-64页
    3.4 Moore-Read态的纠缠谱和拓扑纠缠熵第64-67页
    3.5 Read-Rezayi态的纠缠谱和拓扑纠缠熵第67-69页
    3.6 FQHE中的杂质效应第69-75页
        3.6.1 基态能谱的统计与拓扑纠缠熵第70-72页
        3.6.2 杂质系统在WD(GOE分布)与MBL相(Poisson分布)的相变第72-75页
    3.7 本章小结第75-77页
4 Laughlin态和Moore-Read态中激发的准粒子第77-91页
    4.1 引言第77页
    4.2 圆盘几何上的激发电荷第77-80页
    4.3 Hard-core模型第80-85页
    4.4 Coulomb interaction模型第85-89页
    4.5 本章小结第89-91页
5 二维材料中的朗道能级以及FQHE中的赝势第91-103页
    5.1 引言第91页
    5.2 双层石墨烯的朗道能级以及赝势第91-93页
    5.3 单层磷烯的朗道能级以及赝势第93-101页
        5.3.1 单层磷烯中的朗道能级和波函数第93-99页
        5.3.2 赝势第99-101页
    5.4 本章小结第101-103页
6 结论与展望第103-105页
    6.1 论文工作总结第103-104页
    6.2 后续工作的展望第104-105页
致谢第105-107页
参考文献第107-121页
附录第121-130页
    A. 单层石墨烯中的朗道能级以及波函数第121-123页
    B. 朗道能级的混合第123-126页
    C. 静电屏蔽势第126-130页
    D. 攻读博士学位期间发表的学术论文第130页
    E. 攻读博士学位期间参加的科研项目第130页

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