中文摘要 | 第6-8页 |
Abstract | 第8-10页 |
第一章 绪论 | 第11-27页 |
1.1 自组装膜的研究与应用 | 第11-20页 |
1.1.1 自组装膜的制备 | 第11-14页 |
1.1.2 自组装成膜原理及研究体系 | 第14-16页 |
1.1.3 自组装膜的结构和特点 | 第16-17页 |
1.1.4 自组装膜的表征方法 | 第17-20页 |
1.2 卟啉自组装膜电化学 | 第20-22页 |
1.2.1 卟啉及其金属卟啉简介 | 第20-21页 |
1.2.2 卟啉自组装膜及其研究进展 | 第21-22页 |
1.3 论文的整体构想及研究内容 | 第22-23页 |
参考文献 | 第23-27页 |
第二章 基于功能化卟啉自组装膜的阴离子选择性识别 | 第27-57页 |
2.1 引言 | 第27-28页 |
2.2 实验部分 | 第28-31页 |
2.2.1 试剂与原料 | 第28-29页 |
2.2.2 基底电极的处理 | 第29页 |
2.2.3 巯基卟啉及金属钴卟啉自组装膜的制备 | 第29页 |
2.2.4 硫辛酸(TCA)和氨基卟啉(ATP)复合自组装膜的制备 | 第29-30页 |
2.2.5 电化学测量 | 第30-31页 |
2.2.6 紫外-可见吸收光谱和傅立叶变换红外反射光谱实验 | 第31页 |
2.3 实验结果分析与讨论 | 第31-51页 |
2.3.1 卟啉自组装膜的表征 | 第31-37页 |
2.3.1.1 红外光谱表征 | 第31-32页 |
2.3.1.2 循环伏安法表征 | 第32-33页 |
2.3.1.3 电化学交流阻抗法表征 | 第33-35页 |
2.3.1.4 扫描电化学显微镜表征 | 第35-37页 |
2.3.2 TCA-ATP 自组装膜对H_2P0_4~- 识别的电化学检测 | 第37-43页 |
2.3.2.1 电化学交流阻抗监测TCA-ATP 自组装膜对H_2P0_4~- 的识别 | 第37-41页 |
2.3.2.2 扫描电化学显微镜监测TCA-ATP 自组装膜对H_2P0_4~- 的识别 | 第41-43页 |
2.3.3 SH-TPP 自组装膜对H_2P0_4~- 识别的电化学检测 | 第43-49页 |
2.3.3.1 电化学交流阻抗监测SH-TPP 自组装膜对H_2P0_4~- 的识别 | 第43-48页 |
2.3.3.2 循环伏安法监测SH-CoTPP 自组装膜对H_2P0_4~- 的识别 | 第48-49页 |
2.3.4 紫外吸收光谱研究卟啉对H_2P0_4~- 的识别 | 第49-51页 |
2.4 结论 | 第51-53页 |
参考文献 | 第53-57页 |
第三章 基于对巯基卟啉/纳米金层层自组装膜的制备及其电化学表征 | 第57-74页 |
3.1 引言 | 第57-58页 |
3.2 实验部分 | 第58-61页 |
3.2.1 仪器及试剂 | 第58-59页 |
3.2.2 金胶纳米粒子的制备 | 第59-60页 |
3.2.3 实验步骤 | 第60-61页 |
3.2.3.1 卟啉修饰电极的制备 | 第60-61页 |
3.2.3.2 电化学测量 | 第61页 |
3.3 实验结果分析与讨论 | 第61-70页 |
3.3.1 trans-PPS_2 金纳米层层组装过程的循环伏安法研究 | 第61-63页 |
3.3.2 trans-PPS_2 金纳米层层组装过程的电化学交流阻抗法研究 | 第63-66页 |
3.3.3 trans-PPS_2 金纳米层层组装过程的SECM 表征 | 第66-70页 |
3.4 结论 | 第70-71页 |
参考文献 | 第71-74页 |
第四章 交流阻抗法研究硫辛酸自组装膜的离子渗入 | 第74-81页 |
4.1 引言 | 第74页 |
4.2 实验部分 | 第74-75页 |
4.2.1 试剂与原料 | 第74页 |
4.2.2 基底电极的处理及硫辛酸自组装膜的制备 | 第74-75页 |
4.2.3 电化学测量 | 第75页 |
4.3 实验结果分析与讨论 | 第75-79页 |
4.4 结论 | 第79-80页 |
参考文献 | 第80-81页 |
在读硕士期间发明专利及发表论文 | 第81-82页 |
致谢 | 第82页 |