| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 第1章 绪论 | 第9-17页 |
| 1.1 引言 | 第9-10页 |
| 1.2 ZnO 的优越性 | 第10-11页 |
| 1.3 ZnO 薄膜的 P 型掺杂 | 第11-12页 |
| 1.4 脉冲激光沉积法 | 第12-13页 |
| 1.5 ZnO 薄膜的研究进展 | 第13-15页 |
| 1.6 论文的研究内容及结构 | 第15-17页 |
| 第2章 ZnO 薄膜的基本性质及其常用制备方法 | 第17-40页 |
| 2.1 ZnO 薄膜的基本性质 | 第17-20页 |
| 2.1.1 ZnO 的晶体结构 | 第17-18页 |
| 2.1.2 ZnO 的电学性能 | 第18-19页 |
| 2.1.3 ZnO 的光学性能 | 第19-20页 |
| 2.2 ZnO 薄膜的传统制备方法 | 第20-23页 |
| 2.2.1 磁控溅射法 | 第20-21页 |
| 2.2.2 分子束外延 | 第21页 |
| 2.2.3 超声喷雾热分解法 | 第21-22页 |
| 2.2.4 金属有机物化学气相沉积 | 第22-23页 |
| 2.2.5 溶胶—凝胶 | 第23页 |
| 2.3 脉冲激光沉积法 | 第23-39页 |
| 2.3.1 PLD 法的基本物理过程 | 第23-25页 |
| 2.3.2 PLD 技术的设备 | 第25-28页 |
| 2.3.3 PLD 技术的工艺 | 第28-31页 |
| 2.3.4 PLD 制备薄膜的理论模型 | 第31-37页 |
| 2.3.5 PLD 技术的优缺点 | 第37-39页 |
| 2.4 本章小结 | 第39-40页 |
| 第3章 ZnO 薄膜的制备及其表征 | 第40-54页 |
| 3.1 PLD 法制备 ZnO 薄膜 | 第40页 |
| 3.2 ZnO 薄膜的表征分析 | 第40-53页 |
| 3.2.1 ZnO 薄膜的表征手段 | 第40-48页 |
| 3.2.2 PLD 法制备的 ZnO 薄膜的结构特性 | 第48-50页 |
| 3.2.3 PLD 法制备的 ZnO 薄膜的电学特性 | 第50-51页 |
| 3.2.4 PLD 法制备的 ZnO 薄膜的光学特性 | 第51-53页 |
| 3.3 本章小结 | 第53-54页 |
| 第4章 PLD 法制备p-ZnO/n+-GaAs 异质结发光器件 | 第54-62页 |
| 4.1 器件的制备 | 第54-55页 |
| 4.2 电学特性分析 | 第55-56页 |
| 4.3 p-ZnO/n+-GaAs 异质结的电致发光 | 第56-61页 |
| 4.4 本章小结 | 第61-62页 |
| 第5章 p-n 同质结 ZnO 发光器件初步研究 | 第62-65页 |
| 第6章 总结与展望 | 第65-67页 |
| 参考文献 | 第67-71页 |
| 致谢 | 第71-72页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文 | 第72页 |
