摘要 | 第4-5页 |
Abstract | 第5-6页 |
第1章 绪论 | 第9-16页 |
1.1 引言 | 第9页 |
1.2 碳的同素异形体 | 第9-10页 |
1.3 石墨烯 | 第10-13页 |
1.3.1 石墨烯的结构 | 第10-11页 |
1.3.2 石墨烯的制备 | 第11-12页 |
1.3.3 石墨烯的特性及应用 | 第12-13页 |
1.4 石墨烯电学性质的调制 | 第13-14页 |
1.5 隧穿磁阻效应 | 第14-15页 |
1.6 本论文的研究目的和内容 | 第15-16页 |
第2章 研究方法和理论背景 | 第16-24页 |
2.1 第一性原理与密度泛函理论 | 第16-18页 |
2.1.1 Born-Oppenheimr绝热近似 | 第16-17页 |
2.1.2 Hohenberg-Kohn (HK) 定理 | 第17页 |
2.1.3 Kohn-Sham(KS)方程 | 第17-18页 |
2.2 交换关联泛函 | 第18-20页 |
2.3 非平衡格林函数 | 第20-22页 |
2.4 计算软件包 | 第22-24页 |
第3章 Cr/graphene/Cr磁隧穿结的隧穿磁电阻效应 | 第24-35页 |
3.1 引言 | 第24-25页 |
3.2 计算模型与方法 | 第25-26页 |
3.3 结果分析与讨论 | 第26-33页 |
3.3.1 透射系数 | 第26-28页 |
3.3.2 局域态密度 | 第28页 |
3.3.3 Cr/graphene/Cr MTJs的k分辨传输电导 | 第28-29页 |
3.3.4 外加偏压下的电流变化曲线和传输电导 | 第29-33页 |
3.4 本章小结 | 第33-35页 |
第4章 石墨烷磁隧穿结的隧穿磁阻效应 | 第35-43页 |
4.1 引言 | 第35-36页 |
4.2 模型和计算方法 | 第36-38页 |
4.3 结果分析与讨论 | 第38-42页 |
4.3.1 电子输运性质 | 第38-39页 |
4.3.2 自旋过滤效率 | 第39-41页 |
4.3.3 平面结的功函数 | 第41-42页 |
4.4 本章小结 | 第42-43页 |
第5章 总结与展望 | 第43-45页 |
5.1 总结 | 第43-44页 |
5.2 展望 | 第44-45页 |
参考文献 | 第45-51页 |
致谢 | 第51-52页 |
攻读硕士学位期间发表的论文 | 第52页 |