| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 1 绪论 | 第10-32页 |
| 1.1 半导体硅基电子学 | 第10-11页 |
| 1.2 自旋电子学 | 第11-19页 |
| 1.3 基于石墨烯的电子学 | 第19-30页 |
| 1.4 本文的主要研究目的 | 第30-32页 |
| 2 理论基础与计算方法 | 第32-41页 |
| 2.1 第一性原理方法简介 | 第32-38页 |
| 2.2 计算软件简介 | 第38-41页 |
| 3 石墨烯纳米带中的自旋塞贝克效应和热致庞磁阻效应 | 第41-54页 |
| 3.1 基于石墨烯纳米带的异质结设计 | 第41-43页 |
| 3.2 计算方法和参数设定 | 第43页 |
| 3.3 自旋塞贝克效应与庞磁阻效应 | 第43-53页 |
| 3.4 本章小结 | 第53-54页 |
| 4 6,6,12 型石墨炔纳米带的输运性质和器件设计 | 第54-86页 |
| 4.1 6,6,12 型石墨炔的二维结构和电子性质 | 第54-57页 |
| 4.2 6,6,12 型石墨炔纳米带的输运性质 | 第57-68页 |
| 4.3 基于 6,6,12 型石墨炔纳米带的金属-半导体异质结器件 | 第68-75页 |
| 4.4 基于 6,6,12 型石墨炔纳米带的金属-半导体-金属结器件 | 第75-82页 |
| 4.5 基于 6,6,12 型石墨炔纳米带的热激发自旋电子学器件 | 第82-85页 |
| 4.6 本章小结 | 第85-86页 |
| 5 α型石墨炔纳米带的输运性质和器件设计 | 第86-106页 |
| 5.1 α型石墨炔的结构和电子性质 | 第86-87页 |
| 5.2 α型石墨炔纳米带的结构和电子性质 | 第87-90页 |
| 5.3 Zigzag 边缘α型石墨炔纳米带输运性质 | 第90-103页 |
| 5.4 Zigzag 边缘α型石墨炔纳米带器件设计 | 第103-105页 |
| 5.5 本章小结 | 第105-106页 |
| 6 Zigzag 边缘双层石墨烯纳米带的输运性质研究 | 第106-117页 |
| 6.1 双层石墨烯的电子结构 | 第106-109页 |
| 6.2 Zigzag 边缘双层石墨烯纳米带的输运性质 | 第109-115页 |
| 6.3 本章小结 | 第115-117页 |
| 7 全文总结和展望 | 第117-120页 |
| 7.1 全文总结 | 第117-118页 |
| 7.2 下一步的工作和展望 | 第118-120页 |
| 致谢 | 第120-121页 |
| 参考文献 | 第121-135页 |
| 附录 攻读博士学位期间已发表或正在完成的学术论文 | 第135页 |
