多晶BiFeO3薄膜的阻变行为与机制研究
| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第12-30页 |
| 1.1 引言 | 第12-14页 |
| 1.2 新型非易失性存储器技术 | 第14-19页 |
| 1.3 阻变效应研究进展 | 第19-28页 |
| 1.3.1 阻变行为的分类 | 第20-21页 |
| 1.3.2 主要阻变机制介绍 | 第21-28页 |
| 1.4 本文选题背景及主要工作 | 第28-30页 |
| 第二章 实验方法 | 第30-34页 |
| 2.1 脉冲激光沉积技术 | 第30-31页 |
| 2.2 微观结构表征方法 | 第31-33页 |
| 2.2.1 X射线衍射分析 | 第31-32页 |
| 2.2.2 扫描电子显微镜 | 第32页 |
| 2.2.3 原子力显微镜 | 第32-33页 |
| 2.3 电学性能测试方法 | 第33-34页 |
| 第三章 BFO薄膜的制备与结构表征 | 第34-45页 |
| 3.1 引言 | 第34页 |
| 3.2 BFO薄膜的制备 | 第34-37页 |
| 3.2.1 BFO陶瓷靶材的制备 | 第34-36页 |
| 3.2.2 BFO薄膜的沉积 | 第36-37页 |
| 3.3 BFO薄膜的微观结构表征 | 第37-43页 |
| 3.3.1 XRD测试结果 | 第37-39页 |
| 3.3.2 SEM测试结果 | 第39-43页 |
| 3.4 本章小结 | 第43-45页 |
| 第四章 BFO薄膜的阻变特性 | 第45-62页 |
| 4.1 引言 | 第45页 |
| 4.2 I-V特性测试 | 第45-51页 |
| 4.2.1 沉积温度对I-V特性的影响 | 第45-48页 |
| 4.2.2 沉积气压对I-V特性的影响 | 第48-50页 |
| 4.2.3 薄膜厚度对阻变特性的影响 | 第50-51页 |
| 4.3 数据保持特性测试 | 第51-55页 |
| 4.3.1 沉积温度对数据保持特性的影响 | 第52页 |
| 4.3.2 沉积气压对数据保持特性的影响 | 第52-53页 |
| 4.3.3 薄膜厚度对数据保持特性的影响 | 第53-55页 |
| 4.4 抗疲劳特性测试 | 第55-61页 |
| 4.4.1 沉积温度对抗疲劳特性的影响 | 第55-57页 |
| 4.4.2 沉积气压对抗疲劳特性的影响 | 第57-58页 |
| 4.4.3 薄膜厚度对抗疲劳特性的影响 | 第58-59页 |
| 4.4.4 抗疲劳特性的改善 | 第59-61页 |
| 4.5 本章小结 | 第61-62页 |
| 第五章 BFO薄膜的阻变机制 | 第62-84页 |
| 5.1 引言 | 第62页 |
| 5.2 导电机制的基本类型 | 第62-63页 |
| 5.3 正偏电压下的导电机制分析 | 第63-73页 |
| 5.3.1 沉积温度对正偏电压下导电机制的影响 | 第63-69页 |
| 5.3.2 沉积气压对正偏电压下导电机制的影响 | 第69-73页 |
| 5.4 负偏电压下的导电机制分析 | 第73-76页 |
| 5.5 BFO薄膜阻变机制研究 | 第76-82页 |
| 5.5.1 阻变机制分析 | 第76-80页 |
| 5.5.2 阻变机制对数据保持特性的解释 | 第80-82页 |
| 5.6 本章小结 | 第82-84页 |
| 第六章 BFO薄膜的多态阻变与微区分析 | 第84-102页 |
| 6.1 引言 | 第84-85页 |
| 6.2 BFO薄膜阻变特性与电容特性的联系 | 第85-87页 |
| 6.3 BFO薄膜的多态阻变 | 第87-92页 |
| 6.4 BFO薄膜的铁电性对阻变的影响 | 第92-96页 |
| 6.5 BFO薄膜阻变的微区分析 | 第96-101页 |
| 6.6 本章小结 | 第101-102页 |
| 第七章 结论 | 第102-105页 |
| 7.1 论文工作总结 | 第102-103页 |
| 7.2 主要创新点 | 第103页 |
| 7.3 前景和工作展望 | 第103-105页 |
| 致谢 | 第105-106页 |
| 参考文献 | 第106-116页 |
| 攻读博士学位期间取得的成果 | 第116-117页 |
