| 中文摘要 | 第9-11页 |
| ABSTRACT | 第11-13页 |
| 本论文的主要创新点 | 第14-15页 |
| 第一章 绪论 | 第15-52页 |
| 1.1 纳米材料概述 | 第15-16页 |
| 1.2 量子点 | 第16-30页 |
| 1.2.1 量子点的分类 | 第17页 |
| 1.2.2 量子点的优点 | 第17-18页 |
| 1.2.3 量子点的毒性 | 第18页 |
| 1.2.4 绿色Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ半导体纳米晶 | 第18-19页 |
| 1.2.5 Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ多元半导体纳米晶制备方法 | 第19-23页 |
| 1.2.5.1 固相合成法 | 第19-20页 |
| 1.2.5.2 水热法 | 第20页 |
| 1.2.5.3 单分子前驱体热分解法 | 第20-21页 |
| 1.2.5.4 有机相高温热解前体法 | 第21-22页 |
| 1.2.5.5 热注入法 | 第22页 |
| 1.2.5.6 传统水相制备法 | 第22-23页 |
| 1.2.6 Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ族纳米晶的应用 | 第23-30页 |
| 1.2.6.1 基于荧光猝灭的传感器 | 第23-25页 |
| 1.2.6.2 生物成像 | 第25页 |
| 1.2.6.3 光催化 | 第25-27页 |
| 1.2.6.4 光伏器件 | 第27-30页 |
| 1.3 一维纳米材料 | 第30-44页 |
| 1.3.1 一维纳米材料的制备方法 | 第31-35页 |
| 1.3.1.1 气相法制备一维纳米材料 | 第32-34页 |
| 1.3.1.2 液相法制备一维纳米材料 | 第34-35页 |
| 1.3.2 一维材料在光电探测器中的应用 | 第35-44页 |
| 1.3.2.1 In_2Ge_2O_7的深紫外(DUV)光电探测器 | 第35-37页 |
| 1.3.2.2 Zn_2GeO_4 DUV光电探测器 | 第37-38页 |
| 1.3.2.3 Ga_2O_3纳米线DUV光电探测器 | 第38-39页 |
| 1.3.2.4 ZnS可见光-盲UV光电探测器 | 第39-41页 |
| 1.3.2.5 In_2Se_3可见光光电探测器 | 第41-44页 |
| 1.4 本论文的出发点和主要工作 | 第44-45页 |
| 参考文献 | 第45-52页 |
| 第二章 微波辅助合成高荧光的AgInS_2/ZnS纳米晶用于细胞内Cu~(2+)的动态监测 | 第52-65页 |
| 摘要 | 第52页 |
| 2.1 前言 | 第52-53页 |
| 2.2 实验部分 | 第53-54页 |
| 2.2.1 试剂与仪器材料 | 第53页 |
| 2.2.2 实验仪器 | 第53页 |
| 2.2.3 微波合成AgInS_2/ZnS纳米晶 | 第53-54页 |
| 2.2.4 细胞培养和细胞毒性分析(MTT) | 第54页 |
| 2.2.5 细胞成像 | 第54页 |
| 2.3 结果与讨论 | 第54-62页 |
| 2.3.1 表征 | 第54-57页 |
| 2.3.2 紫外吸收光谱和荧光光谱 | 第57-58页 |
| 2.3.3 影响纳米晶荧光性能的实验变量 | 第58-59页 |
| 2.3.4 纳米晶的荧光寿命 | 第59-60页 |
| 2.3.5 细胞毒性分析(MTT)和细胞内铜离子检测 | 第60-62页 |
| 2.4 结论 | 第62-63页 |
| 参考文献 | 第63-65页 |
| 第三章 微波水相合成荧光可调CuInS_2/ZnS纳米晶以及用于人白细胞介素-6的检测 | 第65-81页 |
| 摘要 | 第65页 |
| 3.1 前言 | 第65-66页 |
| 3.2 实验部分 | 第66-69页 |
| 3.2.1 试剂 | 第66-67页 |
| 3.2.2 微波辅助合成CuInS_2/ZnS纳米晶 | 第67-68页 |
| 3.2.3 细胞毒性分析(MTT)和共聚焦荧光成像 | 第68页 |
| 3.2.4 CuInS_2/ZnS纳米晶与抗体的生物偶联 | 第68页 |
| 3.2.5 荧光免疫检测制备 | 第68-69页 |
| 3.2.6 表征 | 第69页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第69-78页 |
| 3.3.1 结构表征 | 第69-71页 |
| 3.3.2 紫外-可见吸收光谱和荧光光谱 | 第71-73页 |
| 3.3.3 GSH浓度和pH值对CuInS_2/ZnS纳米晶荧光性质的影响 | 第73-74页 |
| 3.3.4 荧光寿命 | 第74-76页 |
| 3.3.5 MTT细胞毒性研究和细胞成像 | 第76-77页 |
| 3.3.6 IL-6荧光免疫检测分析 | 第77-78页 |
| 3.4 结论 | 第78页 |
| 参考文献 | 第78-81页 |
| 第四章 HfS_3单根纳米带的场效应晶体管和高性能的可见光探测器 | 第81-91页 |
| 摘要 | 第81页 |
| 4.1 前言 | 第81-82页 |
| 4.2 实验部分 | 第82页 |
| 4.2.1 材料制备与仪器 | 第82页 |
| 4.2.2 FET装置和光电探测器的组装 | 第82页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第82-88页 |
| 4.3.1 HfS_3纳米带的表征 | 第82-84页 |
| 4.3.2 HfS_3单根纳米带FET的组装与特性 | 第84-85页 |
| 4.3.3 HfS_3单根纳米带光电探测器的特性 | 第85-88页 |
| 4.4 结论 | 第88页 |
| 参考文献 | 第88-91页 |
| 第五章 ZrSe_3和HfSe_3单根纳米带的光电探测器 | 第91-104页 |
| 摘要 | 第91页 |
| 5.1 前言 | 第91-92页 |
| 5.2 实验部分 | 第92页 |
| 5.2.1 材料制备与仪器 | 第92页 |
| 5.2.2 光电探测器的组装 | 第92页 |
| 5.3 结果与讨论 | 第92-101页 |
| 5.3.1 ZrSe_3和HfSe_3纳米带的表征 | 第92-95页 |
| 5.3.2 ZrSe_3和HfSe_3单根纳米带光电探测器 | 第95-101页 |
| 5.4 结论 | 第101-102页 |
| 参考文献 | 第102-104页 |
| 结论与展望 | 第104-106页 |
| 附录 | 第106-108页 |
| 致谢 | 第108-109页 |
