FPGA设计及其关键电路辐射加固方法研究
| 目录 | 第3-5页 |
| 图目录 | 第5-8页 |
| 表目录 | 第8-9页 |
| 摘要 | 第9-11页 |
| Abstract | 第11-12页 |
| 第1章 引言 | 第13-23页 |
| 1.1 辐射源 | 第13-15页 |
| 1.2 FPGA结构 | 第15-17页 |
| 1.3 辐射环境对FPGA的影响 | 第17-20页 |
| 1.4 论文主要工作和创新点 | 第20-21页 |
| 1.5 论文结构安排 | 第21-23页 |
| 第2章 研究背景 | 第23-39页 |
| 2.1 单粒子效应机理 | 第23-26页 |
| 2.1.1 电荷产生原理 | 第23页 |
| 2.1.2 电荷收集原理 | 第23-26页 |
| 2.2 单粒子效应模拟方法 | 第26-30页 |
| 2.2.1 器件模拟 | 第26-28页 |
| 2.2.2 电路模拟 | 第28-30页 |
| 2.3 FPGA单粒子翻转加固方法国内外研究现状 | 第30-33页 |
| 2.3.1 国外研究现状 | 第30-32页 |
| 2.3.2 国内研究现状 | 第32-33页 |
| 2.4 忆阻器 | 第33-38页 |
| 2.5 本章小结 | 第38-39页 |
| 第3章 FPGA设计实现和SEU对其影响分析 | 第39-60页 |
| 3.1 可编程逻辑单元设计 | 第40-44页 |
| 3.1.1 LUT功能和电路设计 | 第40-42页 |
| 3.1.2 触发器功能和电路设计 | 第42-44页 |
| 3.2 可编程互连资源设计 | 第44-52页 |
| 3.2.1 整体架构 | 第44-46页 |
| 3.2.2 统一的GRM结构 | 第46-47页 |
| 3.2.3 MUX结构设计 | 第47-49页 |
| 3.2.4 可编程互连线建模仿真 | 第49-52页 |
| 3.3 设计实现和测试结果 | 第52-54页 |
| 3.4 SEU对FPGA影响分析 | 第54-58页 |
| 3.4.1 SEU对CLB和可编程互连的影响 | 第54-57页 |
| 3.4.2 触发器的SEU问题 | 第57-58页 |
| 3.5 本章小结 | 第58-60页 |
| 第4章 SEU加固的SRAM和触发器设计 | 第60-80页 |
| 4.1 SRAM单元翻转机理 | 第60-62页 |
| 4.2 SEU加固的SRAM单元分析 | 第62-64页 |
| 4.3 新型SEU加固SRAM设计 | 第64-72页 |
| 4.3.1 加固单元结构 | 第64-65页 |
| 4.3.2 翻转恢复机理 | 第65-66页 |
| 4.3.3 读写操作 | 第66页 |
| 4.3.4 实验结果 | 第66-72页 |
| 4.4 SEU加固触发器设计 | 第72-79页 |
| 4.4.1 相关工作 | 第72-74页 |
| 4.4.2 SEU加固触发器结构 | 第74-75页 |
| 4.4.3 实验结果 | 第75-79页 |
| 4.5 本章小结 | 第79-80页 |
| 第5章 MNU加固SRAM单元设计实现 | 第80-105页 |
| 5.1 MBU问题研究 | 第80-83页 |
| 5.2 MNU加固SRAM单元设计 | 第83-96页 |
| 5.2.1 加固机理分析 | 第84-86页 |
| 5.2.2 读写操作 | 第86-89页 |
| 5.2.3 非易失特性 | 第89-90页 |
| 5.2.4 实验结果 | 第90-96页 |
| 5.3 测试电路设计和版图实现 | 第96-104页 |
| 5.3.1 电路设计 | 第96-103页 |
| 5.3.2 版图 | 第103-104页 |
| 5.4 本章小结 | 第104-105页 |
| 第6章 总结和展望 | 第105-107页 |
| 6.1 论文总结 | 第105-106页 |
| 6.2 研究展望 | 第106-107页 |
| 参考文献 | 第107-115页 |
| 博士期间参加的科研工作 | 第115-116页 |
| 发表文章和专利 | 第116-117页 |
| 致谢 | 第117-118页 |
