摘要 | 第9-11页 |
ABSTRACT | 第11-13页 |
论文中涉及的符号和缩写词 | 第14-15页 |
第一章 绪论 | 第15-29页 |
1.1 TiO_2光催化技术概述 | 第15-22页 |
1.1.1 引言 | 第15-16页 |
1.1.2 TiO_2的理化性质 | 第16-17页 |
1.1.3 TiO_2光催化反应机理 | 第17-19页 |
1.1.4 影响TiO_2光催化性能的因素 | 第19-21页 |
1.1.5 TiO_2光催化技术的应用 | 第21-22页 |
1.1.6 存在的问题 | 第22页 |
1.2 提高TiO_2光催化性能的有效途径 | 第22-24页 |
1.2.1 贵金属沉积 | 第22-23页 |
1.2.2 过渡金属离子的掺杂 | 第23页 |
1.2.3 非金属的掺杂 | 第23页 |
1.2.4 光敏化 | 第23页 |
1.2.5 半导体复合 | 第23-24页 |
1.2.6 固载化 | 第24页 |
1.3 粉煤灰漂珠 | 第24-28页 |
1.3.1 漂珠的性质 | 第24-25页 |
1.3.2 漂珠的形成过程 | 第25页 |
1.3.3 漂珠的分选 | 第25-26页 |
1.3.4 漂珠的综合利用情况 | 第26-28页 |
1.4 本论文研究目的、研究内容 | 第28-29页 |
1.4.1 研究目的 | 第28页 |
1.4.2 研究内容 | 第28-29页 |
第二章 TiO_2-FAC光催化剂的制备及工艺优化 | 第29-39页 |
2.1 引言 | 第29页 |
2.2 实验部分 | 第29-32页 |
2.2.1 实验材料 | 第29-30页 |
2.2.2 仪器设备 | 第30页 |
2.2.3 材料合成 | 第30-31页 |
2.2.4 材料表征 | 第31-32页 |
2.3 结果与讨论 | 第32-38页 |
2.3.1 漂珠的理化性能分析 | 第32-34页 |
2.3.2 TiO_2/FAC光催化剂的制备工艺优化及表征分析 | 第34-38页 |
2.4 本章小结 | 第38-39页 |
第三章 PPy-TiO_2/FAC光催化剂的制备及可见光活性研究 | 第39-53页 |
3.1 引言 | 第39页 |
3.2 实验部分 | 第39-44页 |
3.2.1 实验材料 | 第39-40页 |
3.2.2 仪器设备 | 第40-41页 |
3.2.3 材料合成 | 第41-42页 |
3.2.4 材料表征 | 第42-43页 |
3.2.5 光催化实验 | 第43-44页 |
3.3 结果与讨论 | 第44-51页 |
3.3.1 FTIR分析 | 第44页 |
3.3.2 微观形貌分析 | 第44-45页 |
3.3.3 矿物相分析 | 第45-46页 |
3.3.4 UV-vis分析 | 第46-48页 |
3.3.5 不同Py/Ti摩尔比对光催化性能的影响 | 第48-50页 |
3.3.6 HCI浓度对光催化性能的影响 | 第50-51页 |
3.3.7 样品回收利用研究 | 第51页 |
3.4 本章小结 | 第51-53页 |
第四章 Pt-TiO_2/FAC光催化剂的制备及可见光活性研究 | 第53-72页 |
4.1 引言 | 第53-54页 |
4.2 实验部分 | 第54-56页 |
4.2.1 实验材料 | 第54页 |
4.2.2 仪器设备 | 第54-55页 |
4.2.3 材料合成 | 第55页 |
4.2.4 材料表征 | 第55页 |
4.2.5 光催化实验 | 第55-56页 |
4.3 结果与讨论 | 第56-70页 |
4.3.1 物相分析 | 第56页 |
4.3.2 FTIR分析 | 第56-57页 |
4.3.3 UV-vis分析 | 第57-59页 |
4.3.4 XPS分析 | 第59页 |
4.3.5 空白实验 | 第59-60页 |
4.3.6 不同pt含量对光催化活性的影响 | 第60-62页 |
4.3.7 最佳催化剂用量的探讨 | 第62-64页 |
4.3.8 煅烧温度对光催化活性的影响 | 第64-65页 |
4.3.9 不同pH值对光催化活性的影响 | 第65-66页 |
4.3.10 无机阴离子对光催化体系的影响 | 第66-67页 |
4.3.11 荧光光谱分析 | 第67-68页 |
4.3.12 光生空穴捕获实验 | 第68-69页 |
4.3.13 样品回收利用研究 | 第69-70页 |
4.4 本章小结 | 第70-72页 |
第五章 结论和展望 | 第72-74页 |
5.1 研究总结 | 第72-73页 |
5.2 展望 | 第73-74页 |
参考文献 | 第74-81页 |
附录:攻读硕士学位期间的主要成果 | 第81-83页 |
致谢 | 第83-84页 |