| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 1 绪论 | 第8-13页 |
| 1.1 高k栅介质研究背景及国内外研究近况 | 第8-12页 |
| 1.2 本论文研究意义及主要研究内容 | 第12-13页 |
| 2 薄膜制备工艺及其原理 | 第13-18页 |
| 2.1 实验所用ALD系统简介 | 第13-15页 |
| 2.2 ALD薄膜沉积原理 | 第15-18页 |
| 3 AlN薄膜生长及测试分析 | 第18-29页 |
| 3.1 引言 | 第18页 |
| 3.2 生长反应源和衬底 | 第18-19页 |
| 3.3 薄膜生长参数设置 | 第19-20页 |
| 3.4 薄膜质量的测试 | 第20-23页 |
| 3.5 薄膜质量测试结果分析方法 | 第23-28页 |
| 3.6 本章小结 | 第28-29页 |
| 4 沉积温度对原子层沉积AlN薄膜的生长特性影响 | 第29-38页 |
| 4.1 引言 | 第29页 |
| 4.2 AFM对表面形貌表征 | 第29-31页 |
| 4.3 电学性质 | 第31-34页 |
| 4.4 薄膜成分XPS分析 | 第34-36页 |
| 4.5 本章小结 | 第36-38页 |
| 5 等离子体功率对原子层沉积AlN薄膜的生长特性影响 | 第38-44页 |
| 5.1 引言 | 第38页 |
| 5.2 AFM对表面形貌表征 | 第38-40页 |
| 5.3 电学性质 | 第40-42页 |
| 5.4 薄膜成分XPS分析 | 第42-43页 |
| 5.5 本章小结 | 第43-44页 |
| 6 NH_3 pulse time对原子层沉积AlN薄膜的生长特性影响 | 第44-49页 |
| 6.1 引言 | 第44页 |
| 6.2 AFM对表面形貌表征 | 第44-45页 |
| 6.3 电学性质 | 第45-48页 |
| 6.4 本章小结 | 第48-49页 |
| 7 总结与展望 | 第49-50页 |
| 致谢 | 第50-51页 |
| 参考文献 | 第51-54页 |