微下拉法晶体生长全局数值模拟
| 中文摘要 | 第3-4页 |
| 英文摘要 | 第4-5页 |
| 符号表 | 第8-9页 |
| 1 绪论 | 第9-21页 |
| 1.1 课题研究背景 | 第9-10页 |
| 1.2 熔体晶体生长技术简介 | 第10-15页 |
| 1.2.1 提拉法晶体生长 | 第10-11页 |
| 1.2.2 Bridgman法晶体生长 | 第11-12页 |
| 1.2.3 浮区法晶体生长 | 第12-13页 |
| 1.2.4 激光加热基座法 | 第13页 |
| 1.2.5 导模法 | 第13-14页 |
| 1.2.6 微下拉法 | 第14-15页 |
| 1.3 微下拉法晶体生长研究现状 | 第15-18页 |
| 1.4 本文的主要研究内容及创新 | 第18-21页 |
| 2 感应加热数学模型 | 第21-33页 |
| 2.1 麦克斯韦方程组 | 第21-23页 |
| 2.2 位函数及其微分方程 | 第23-26页 |
| 2.3 矢量磁位函数的求解 | 第26-28页 |
| 2.3.1 流函数法求解 | 第26-27页 |
| 2.3.2 复函数法求解 | 第27-28页 |
| 2.4 电流密度的计算 | 第28-29页 |
| 2.5 感应电流的集肤效应 | 第29页 |
| 2.6 模型验证 | 第29-33页 |
| 3 微下拉法晶体生长全局模型 | 第33-43页 |
| 3.1 相变模型 | 第33-35页 |
| 3.1.1 相变基本理论 | 第33-34页 |
| 3.1.2 计算结果及其分析 | 第34-35页 |
| 3.2 辐射模型 | 第35-39页 |
| 3.2.1 辐射传输方程 | 第36-37页 |
| 3.2.2 晶体生长中的辐射计算 | 第37-39页 |
| 3.3 全局模型 | 第39-43页 |
| 3.3.1 熔体的流场 | 第39-40页 |
| 3.3.2 晶体生长全局物理模型 | 第40-43页 |
| 4 数值计算方法和验证 | 第43-49页 |
| 4.1 有限体积法 | 第43-44页 |
| 4.2 多物理场的耦合方法 | 第44-45页 |
| 4.3 网格有效性验证 | 第45-49页 |
| 5 计算结果及分析 | 第49-63页 |
| 5.1 全局数值模拟结果 | 第49-51页 |
| 5.2 线圈的影响 | 第51-55页 |
| 5.2.1 线圈轴向位置的影响 | 第52-53页 |
| 5.2.2 线圈径向位置的影响 | 第53-54页 |
| 5.2.3 线圈匝数的影响 | 第54-55页 |
| 5.3 后热器材料的影响 | 第55-57页 |
| 5.4 电流的影响 | 第57-63页 |
| 5.4.1 电流大小的影响 | 第57-58页 |
| 5.4.2 频率大小的影响 | 第58-63页 |
| 6 结论及展望 | 第63-65页 |
| 6.1 结论 | 第63-64页 |
| 6.2 展望 | 第64-65页 |
| 致谢 | 第65-67页 |
| 参考文献 | 第67-71页 |
| 附录 | 第71页 |
| A. 作者在攻读硕士学位期间发表的论文 | 第71页 |
