摘要 | 第6-8页 |
ABSTRACT | 第8-10页 |
第一章 绪论 | 第15-53页 |
1.1 引言 | 第15页 |
1.2 太阳电池的发展和分类 | 第15-19页 |
1.2.1 太阳电池的发展 | 第15-17页 |
1.2.2 太阳电池的分类 | 第17-19页 |
1.3 太阳电池的能量损失机理 | 第19-21页 |
1.4 晶体硅太阳电池的组装工艺 | 第21-23页 |
1.5 晶体硅太阳电池表面减反结构 | 第23-31页 |
1.5.1 工业化生产采用的减反结构 | 第23-26页 |
1.5.2 其它新型减反结构 | 第26-31页 |
1.6 晶体硅太阳电池表面钝化 | 第31-38页 |
1.6.1 表面复合速率对晶体硅太阳电池性能的影响 | 第31-33页 |
1.6.2 氮化硅薄膜作为钝化层的应用 | 第33-34页 |
1.6.3 二氧化硅薄膜作为钝化层的应用 | 第34-35页 |
1.6.4 非晶硅薄膜作为钝化层的应用 | 第35页 |
1.6.5 碳化硅薄膜作为钝化层的应用 | 第35-36页 |
1.6.6 氧化铝薄膜作为钝化层的应用 | 第36-38页 |
1.7 本论文研究课题的提出和主要研究内容 | 第38-41页 |
参考文献 | 第41-53页 |
第二章 金属辅助化学湿法和RIE干法制备晶体硅太阳电池表面减反结构 | 第53-78页 |
2.1 引言 | 第53-54页 |
2.2 金属辅助化学湿法腐蚀单晶硅和多晶硅表面 | 第54-66页 |
2.2.1 实验方法及表征测试 | 第54-55页 |
2.2.2 金属辅助化学湿法腐蚀单晶硅表面的研究 | 第55-62页 |
2.2.3 金属辅助化学湿法腐蚀多晶硅表面的研究 | 第62-65页 |
2.2.4 金属辅助化学湿法腐蚀晶体硅表面的反应机理 | 第65-66页 |
2.2.5 本节小结 | 第66页 |
2.3 金属Ni纳米颗粒辅助的RIE法刻蚀多晶硅表面 | 第66-74页 |
2.3.1 RIE简介 | 第66-67页 |
2.3.2 实验部分及表征测试 | 第67-69页 |
2.3.3 结果与讨论 | 第69-73页 |
2.3.4 本节小结 | 第73-74页 |
2.4 本章小结 | 第74-75页 |
参考文献 | 第75-78页 |
第三章 SiO_2纳米球组装在晶体硅太阳电池表面做减反层的应用 | 第78-103页 |
3.1 引言 | 第78-79页 |
3.2 溶液自组装法在晶体硅太阳电池表面组装SiO_2纳米球 | 第79-85页 |
3.2.1 实验方法与表征测试 | 第79-80页 |
3.2.2 APTES对SiO_2纳米球自组装的影响 | 第80-81页 |
3.2.3 SiO_2纳米球在未制绒多晶硅太阳电池表面的组装 | 第81-82页 |
3.2.4 SiO_2纳米球在单晶硅太阳电池表面的组装 | 第82-84页 |
3.2.5 SiO_2纳米球在多晶硅太阳电池表面的组装 | 第84-85页 |
3.2.6 溶液自组装法在晶体硅太阳电池表面组装SiO_2纳米球的优缺点 | 第85页 |
3.3 超声波雾化喷头喷涂法在多晶硅太阳电池表面喷涂SiO_2纳米球 | 第85-97页 |
3.3.1 超声波雾化喷头喷涂法 | 第85-86页 |
3.3.2 实验方法和表征测试 | 第86-88页 |
3.3.3 SiO_2纳米球喷涂在多晶硅太阳电池表面的分布 | 第88-91页 |
3.3.4 SiO_2纳米球喷涂在多晶硅太阳电池表面对电池表面反射率的影响 | 第91-93页 |
3.3.5 SiO_2纳米球喷涂在多晶硅太阳电池表面对电池性能的影响 | 第93-97页 |
3.3.6 超声波雾化喷头喷涂法在电池表面喷涂SiO_2纳米球的优缺点 | 第97页 |
3.4 本章小结 | 第97-99页 |
参考文献 | 第99-103页 |
第四章 ALD技术沉积高K介电薄膜及其XPS分析 | 第103-128页 |
4.1 引言 | 第103-104页 |
4.2 ALD沉积技术 | 第104-105页 |
4.3 实验部分 | 第105-107页 |
4.4 结果与讨论 | 第107-121页 |
4.4.1 样品N1-N4,不同Al–Hf比例的(Hf O_2)_x(Al_2O_3)_(1-x)叠层薄膜 | 第107-113页 |
4.4.2 样品N5-N6,不同Al–La比例的(La_2O_3)_x(Al_2O_3)_(1-x)叠层薄膜 | 第113-117页 |
4.4.3 样品N7-N10,不同Hf–La比例的(La_2O_3)_x(HfO_2)_(1-x)叠层薄膜 | 第117-121页 |
4.5 本章小结 | 第121-123页 |
参考文献 | 第123-128页 |
第五章 高K介电薄膜作为钝化层在单晶硅太阳电池中的应用 | 第128-159页 |
5.1 引言 | 第128-129页 |
5.2 高K介电薄膜的ALD沉积过程及其表征分析 | 第129-132页 |
5.2.1 实验过程和表征测试 | 第129-130页 |
5.2.2 退火对少子寿命的影响 | 第130-131页 |
5.2.3 高K介电薄膜表面固定电荷的调控 | 第131-132页 |
5.3 高K介电薄膜作为钝化层在小面积单晶硅太阳电池中的应用 | 第132-139页 |
5.3.1 小面积单晶硅太阳电池的组装及测试 | 第132-135页 |
5.3.2 碱溶液制绒后单晶硅片的表面形貌 | 第135页 |
5.3.3 高K介电薄膜作为钝化层对电池性能的影响 | 第135-139页 |
5.4 Al_2O_3和HfO_2介电薄膜作为钝化层在大面积单晶硅太阳电池中的应用 | 第139-150页 |
5.4.1 大面积单晶硅太阳电池的组装及分析 | 第139-141页 |
5.4.2 不同厚度的Al_2O_3介电薄膜做钝化层对单晶硅太阳电池性能的影响 | 第141-146页 |
5.4.3 HfO_2介电薄膜作为钝化层对电池性能的影响 | 第146-150页 |
5.5 钝化机理分析 | 第150-152页 |
5.6 本章小结 | 第152-154页 |
参考文献 | 第154-159页 |
第六章 全文总结和展望 | 第159-163页 |
6.1 主要结论 | 第159-161页 |
6.2 论文的创新点 | 第161页 |
6.3 研究展望 | 第161-163页 |
致谢 | 第163-165页 |
攻读博士学位期间发表文章、专利及获奖 | 第165-169页 |