| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5页 |
| 第一章 绪论 | 第8-17页 |
| 1.1 课题研究的目的和意义 | 第8-9页 |
| 1.2 石墨烯的结构和性能 | 第9-12页 |
| 1.2.1 石墨烯的结构 | 第9-11页 |
| 1.2.2 石墨烯的性能 | 第11-12页 |
| 1.3 石墨烯的研究现状 | 第12-15页 |
| 1.3.1 石墨烯的制备技术 | 第13-15页 |
| 1.3.2 石墨烯的应用 | 第15页 |
| 1.4 本文研究的主要内容 | 第15-17页 |
| 第二章 实验方法和材料及表征 | 第17-25页 |
| 2.1 CVD法制备石墨烯的实验方法与材料 | 第17-19页 |
| 2.1.1 CVD化学气相沉积系统及实验过程 | 第17-18页 |
| 2.1.2 实验材料 | 第18-19页 |
| 2.2 石墨烯表征技术 | 第19-24页 |
| 2.3 小结 | 第24-25页 |
| 第三章 铜衬底上CVD制备石墨烯及其光电性能分析 | 第25-44页 |
| 3.1 铜衬底上石墨烯的制备原理 | 第25页 |
| 3.2 实验所用铜箔的超声清洗和退火预处理 | 第25-26页 |
| 3.3 铜衬底上石墨烯的转移与拉曼表征 | 第26-28页 |
| 3.4 光学显微镜初步验证铜箔上的石墨烯 | 第28页 |
| 3.5 不同工艺参数对石墨烯生长的影响 | 第28-39页 |
| 3.5.1 生长温度对石墨烯生长的影响 | 第29-31页 |
| 3.5.2 生长时间对石墨烯生长的影响 | 第31-34页 |
| 3.5.3 生长气体中CH_4流量对石墨烯生长的影响 | 第34-36页 |
| 3.5.4 生长气体中H_2流量对石墨烯生长的影响 | 第36-38页 |
| 3.5.5 降温速率对石墨烯生长的影响 | 第38-39页 |
| 3.6 大面积少层石墨烯的制备表征及其光电性能的分析 | 第39-43页 |
| 3.6.1 优化工艺制备大面积少层石墨烯及其表征 | 第39-41页 |
| 3.6.2 铜箔衬底上石墨烯光电能性能分析 | 第41-43页 |
| 3.7 小结 | 第43-44页 |
| 第四章 镍衬底上CVD制备石墨烯及其光电性能分析 | 第44-63页 |
| 4.1 镍衬底上石墨烯的制备原理 | 第44页 |
| 4.2 镍箔的超声清洗和退火预处理 | 第44-45页 |
| 4.3 镍衬底上石墨烯的转移 | 第45页 |
| 4.4 镍衬底上石墨烯拉曼表征光谱说明 | 第45-46页 |
| 4.5 不同工艺参数对石墨烯生长的影响 | 第46-55页 |
| 4.5.1 生长温度对石墨烯生长的影响 | 第46-49页 |
| 4.5.2 生长气体中CH_4/H_2流量比例对石墨烯生长的影响 | 第49-51页 |
| 4.5.3 生长时间对石墨烯生长的影响 | 第51-52页 |
| 4.5.4 降温速率对石墨烯生长的影响 | 第52-55页 |
| 4.6 大面积少层石墨烯的制备、表征及其光电性能的分析 | 第55-59页 |
| 4.6.1 改进工艺制备大面积少层石墨烯及其表征 | 第55-57页 |
| 4.6.2 镍衬底上大面积少层石墨烯光电性能的分析 | 第57-59页 |
| 4.7 对比研究铜镍衬底上石墨烯的制备及其透光性能 | 第59-62页 |
| 4.7.1 相同条件下铜箔和镍箔上石墨烯的制备及表征 | 第59-61页 |
| 4.7.2 铜箔和镍箔上石墨烯透光性能对比分析 | 第61-62页 |
| 4.8 小结 | 第62-63页 |
| 结论 | 第63-64页 |
| 参考文献 | 第64-70页 |
| 致谢 | 第70页 |
