学位论文数据集 | 第3-4页 |
摘要 | 第4-6页 |
ABSTRACT | 第6-8页 |
第一章 绪论 | 第15-29页 |
1.1 引言 | 第15-16页 |
1.2 VOCs传感器研究现状 | 第16-18页 |
1.2.1 电化学传感器 | 第16页 |
1.2.2 声表面波传感器 | 第16-17页 |
1.2.3 荧光传感器 | 第17页 |
1.2.4 悬臂梁传感器 | 第17-18页 |
1.2.5 氧化物半导体传感器 | 第18页 |
1.3 氧化物半导体传感器敏感机理研究进展 | 第18-23页 |
1.3.1 气敏材料颗粒尺寸效应模型研究 | 第20-21页 |
1.3.2 气敏材料晶体缺陷模型研究 | 第21-22页 |
1.3.3 气敏材料能带弯曲模型研究 | 第22-23页 |
1.4 氧化物半导体材料及其合成方法 | 第23-27页 |
1.4.1 常见n型氧化物半导体材料及制备方法 | 第23-24页 |
1.4.2 常见p型氧化物半导体材料及制备方法 | 第24-25页 |
1.4.3 Cu_2O半导体材料制备方法及形貌结构 | 第25-27页 |
1.5 本论文的研究目的和主要内容 | 第27-29页 |
第二章 多面体Cu_2O纳米材料的合成及性能表征 | 第29-53页 |
2.1 引言 | 第29-30页 |
2.2 实验部分 | 第30-35页 |
2.2.1 实验仪器与试剂 | 第30-31页 |
2.2.2 多面体Cu_2O纳米材料的合成 | 第31-32页 |
2.2.3 不同尺寸立方体Cu_2O纳米材料的合成 | 第32-33页 |
2.2.4 Cu_2O纳米材料结构表征方法 | 第33-34页 |
2.2.5 Cu_2O纳米材料气敏性能测试方法 | 第34-35页 |
2.2.6 Cu_2O纳米材料催化性能测试方法 | 第35页 |
2.3 结果与讨论 | 第35-52页 |
2.3.1 多面体Cu_2O基本结构表征 | 第35-39页 |
2.3.2 不同尺寸立方体Cu_2O基本结构表征 | 第39-41页 |
2.3.3 多面体Cu_2O纳米材料气敏性能表征 | 第41-47页 |
2.3.4 立方体与八面体Cu_2O催化性能表征 | 第47-49页 |
2.3.5 多面体Cu_2O气敏传感机理分析 | 第49-52页 |
2.4 本章小结 | 第52-53页 |
第三章 p-n传感器阵列的制备组装及性能表征 | 第53-71页 |
3.1 引言 | 第53页 |
3.2 实验部分 | 第53-58页 |
3.2.1 实验仪器与试剂 | 第53-55页 |
3.2.2 Ga掺杂ZnO纳米材料的合成 | 第55页 |
3.2.3 CdO活化LaFeO_3纳米材料的合成 | 第55-56页 |
3.2.4 CdO活化Sn掺杂ZnO纳米材料的合成 | 第56页 |
3.2.5 p-n传感器阵列工作原理 | 第56-58页 |
3.2.6 p-n传感器阵列组装与气敏性能测试方法 | 第58页 |
3.3 结果与讨论 | 第58-68页 |
3.3.1 Ga掺杂ZnO纳米材料结构基本表征 | 第58-60页 |
3.3.2 CdO活化LaFeO_3纳米材料结构基本表征 | 第60-62页 |
3.3.3 CdO活化Sn掺杂ZnO纳米材料结构基本表征 | 第62-64页 |
3.3.4 立方体Cu_2O与Ga掺杂ZnO阵列气敏性能表征 | 第64-66页 |
3.3.5 CdO活化LaFeO_3与CdO活化Sn掺杂ZnO阵列气敏性能表征 | 第66-68页 |
3.4 本章小结 | 第68-71页 |
第四章 场效应晶体管对Cu_2O气敏性能提升及简易酒精检测器制备 | 第71-83页 |
4.1 引言 | 第71页 |
4.2 实验部分 | 第71-75页 |
4.2.1 实验仪器与试剂 | 第71-72页 |
4.2.2 场效应晶体管(FET)放大电路基本原理 | 第72-73页 |
4.2.3 场效应晶体管结合Cu_2O传感器组装制备方法 | 第73-74页 |
4.2.4 静态法测试传感器气敏性能方法 | 第74-75页 |
4.3 场效应晶体管结合Cu_2O传感器气敏性能表征 | 第75-81页 |
4.4 小结 | 第81-83页 |
第五章 结论与展望 | 第83-85页 |
5.1 结论 | 第83-84页 |
5.2 展望 | 第84-85页 |
参考文献 | 第85-91页 |
致谢 | 第91-93页 |
研究成果及发表的学术论文 | 第93-95页 |
作者和导师简介 | 第95-96页 |
附件 | 第96-97页 |