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三氧化钨基光电极的制备、表征和光电化学性质研究

摘要第6-7页
Abstract第7-8页
第一章 绪论第9-22页
    1.1 半导体光电催化剂第9-16页
        1.1.1 半导体光学性质第9-11页
        1.1.2 半导体光电催化原理第11-12页
        1.1.3 半导体光电催化剂材料的改性方法第12-16页
    1.2 三氧化钨(WO_3)的发展历程和制备方法第16-20页
        1.2.1 WO_3半导体的研究现状和改性方法第16-17页
        1.2.2 WO_3薄膜的制备方法第17-20页
    1.3 本论文的选题意义、创新点以及主要内容第20-22页
第二章 FTO/WO_3/Ni(OH)_2光电极薄膜氧化葡萄糖制氢气第22-31页
    2.1 引言第22页
    2.2 制备WO_3/Ni(OH)_2的实验部分第22-25页
        2.2.1 实验试剂与仪器第22-24页
        2.2.2 制备FTO/WO_3/Ni(OH)_2薄膜第24-25页
    2.3 数据分析第25-30页
        2.3.1 场发射扫描电子显微镜(FE-SEM)形貌表征第25-26页
        2.3.2 拉曼(Raman)光谱表征第26-27页
        2.3.3 X射线衍射光谱(XRD)表征第27-28页
        2.3.4 紫外-可见光吸收曲线表征第28-29页
        2.3.5 循环伏安法(Cycle Votammetry)测定Ni(OH)_2电位第29-30页
        2.3.6 FTO/WO_3/Ni(OH)_2电极氧化葡萄糖第30页
    2.4 小结第30-31页
第三章FTO/WO_3/BiVO_4复合膜电催化光解水的研究第31-40页
    3.1 引言第31-32页
    3.2 实验部分第32-34页
        3.2.1 仪器与试剂第32-33页
        3.2.2 滴涂法制备FTO/WO_3/BiVO_4复合电极第33-34页
    3.3 数据分析第34-39页
        3.3.1 X射线衍射光谱(XRD)表征第34-35页
        3.3.2 拉曼(Raman)光谱表征第35-36页
        3.3.3 场发射扫描电子显微镜(FE-SEM)形貌表征第36页
        3.3.4 紫外-可见光吸收曲线表征第36-38页
        3.3.5 FTO/WO_3/BiVO4复合薄膜电极用于氧化水第38-39页
    3.4 小结第39-40页
第四章 多孔WO_3薄膜光解水第40-50页
    4.1 引言第40-41页
    4.2 制备多孔WO_3薄膜的实验部分第41-44页
        4.2.1 实验试剂与仪器第41-42页
        4.2.2 制备多孔WO_3薄膜电极第42-44页
    4.3 数据分析第44-49页
        4.3.1 场发射扫描电子显微镜(FE-SEM)形貌表征第44-45页
        4.3.2 X射线衍射光谱(XRD)表征第45-46页
        4.3.3 拉曼(Raman)光谱表征第46页
        4.3.4 紫外-可见光吸收曲线表征第46-48页
        4.3.5 多孔三氧化钨薄膜电极用于光解水第48-49页
    4.4 结论第49-50页
参考文献第50-61页
致谢第61-62页
代表性学术成果第62页

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