| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 1 绪论 | 第11-25页 |
| 1.1 引言 | 第11页 |
| 1.2 薄膜晶体管简介 | 第11-19页 |
| 1.2.1 薄膜晶体管的发展历史 | 第11-13页 |
| 1.2.2 各种有源层薄膜晶体管的性能比较 | 第13-15页 |
| 1.2.3 薄膜晶体管的结构 | 第15-17页 |
| 1.2.4 薄膜晶体管的工作原理及参数介绍 | 第17-19页 |
| 1.3 p型氧化物TFT的研究现状 | 第19-23页 |
| 1.3.1 NiO-TFT | 第21页 |
| 1.3.2 SnO-TFT | 第21页 |
| 1.3.3 CuMO_2-TFT | 第21-22页 |
| 1.3.4 Cu_xO-TFT | 第22-23页 |
| 1.4 Cu_xO-TFT的研究意义及需要解决的问题 | 第23-24页 |
| 1.5 论文的主要内容和章节安排 | 第24-25页 |
| 2 样品的制备和表征方法 | 第25-37页 |
| 2.1 Cu_xO薄膜的制备方法概述 | 第25-29页 |
| 2.1.1 磁控溅射技术基本原理 | 第25-26页 |
| 2.1.2 磁控溅射薄膜生长理论 | 第26-27页 |
| 2.1.3 超高真空分子束外延-电子束蒸发-磁控溅射联合镀膜系统 | 第27-28页 |
| 2.1.4 溅射镀膜工艺流程 | 第28-29页 |
| 2.1.5 薄膜退火处理 | 第29页 |
| 2.2 Cu_xO薄膜的表征方法 | 第29-34页 |
| 2.2.1 台阶仪 | 第29-30页 |
| 2.2.2 X射线衍射分析（XRD） | 第30-31页 |
| 2.2.3 X射线光电子能谱分析（XPS） | 第31页 |
| 2.2.4 扫描电镜分析（SEM） | 第31-32页 |
| 2.2.5 紫外-可见-近红外分光光度计 | 第32-33页 |
| 2.2.6 霍尔效应测试仪 | 第33-34页 |
| 2.3 CuO-TFT的制备方法 | 第34页 |
| 2.4 CuO-TFT的性能表征方法 | 第34-37页 |
| 3 Cu_xO薄膜的制备工艺研究 | 第37-58页 |
| 3.1 Cu_xO材料的基本性质 | 第37-39页 |
| 3.2 Cu_xO薄膜的制备 | 第39-40页 |
| 3.2.1 衬底准备 | 第39页 |
| 3.2.2 溅射镀膜工艺流程 | 第39-40页 |
| 3.3 实验结果分析 | 第40-56页 |
| 3.3.1 氧分压对溅射速率的影响 | 第40-42页 |
| 3.3.2 氧分压对薄膜晶体结构的影响 | 第42-43页 |
| 3.3.3 退火温度对薄膜晶体结构的影响 | 第43-49页 |
| 3.3.3.1 X射线衍射图谱分析（XRD） | 第43-45页 |
| 3.3.3.2 X射线光电子能谱分析（XPS） | 第45-49页 |
| 3.3.4 薄膜厚度对其光学性能的影响 | 第49-50页 |
| 3.3.5 退火温度对薄膜禁带宽度的影响 | 第50-51页 |
| 3.3.6 退火温度对薄膜表面形貌的影响 | 第51-54页 |
| 3.3.7 氧分压和退火温度对薄膜电学性能的影响 | 第54-56页 |
| 3.4 本章小结 | 第56-58页 |
| 4 CuO-TFT的性能研究 | 第58-69页 |
| 4.1 TFT有源层材料的工艺确认 | 第58页 |
| 4.2 TFT器件的制备工艺 | 第58-60页 |
| 4.2.1 衬底准备 | 第59页 |
| 4.2.2 有源层的制备 | 第59-60页 |
| 4.2.3 源极和漏极的制备 | 第60页 |
| 4.3 薄膜晶体管主要特性参数的提取方法 | 第60-63页 |
| 4.3.1 开关电流比（ION/IOFF） | 第60-61页 |
| 4.3.2 场效应迁移率（μFE）和阈值电压（VTH） | 第61-63页 |
| 4.3.3 亚阈值摆幅（SS） | 第63页 |
| 4.3.4 界面态密度（D ） | 第63页 |
| 4.4 不同工艺CuO-TFT的电性能测试结果分析 | 第63-66页 |
| 4.5 TFT转移特性曲线的正反向扫描测试 | 第66-67页 |
| 4.6 CuO-TFT的环境稳定性研究 | 第67-68页 |
| 4.7 本章小结 | 第68-69页 |
| 5 结论与展望 | 第69-71页 |
| 5.1 结论 | 第69-70页 |
| 5.2 存在的问题及建议 | 第70-71页 |
| 参考文献 | 第71-78页 |
| 致谢 | 第78-79页 |
| 个人简历 | 第79页 |
