| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-20页 |
| 1.1 课题研究背景 | 第10-11页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第11-18页 |
| 1.2.1 ZnO薄膜紫外探测器 | 第11-12页 |
| 1.2.2 单根ZnO纳米线紫外探测器 | 第12-13页 |
| 1.2.3 垂直结构ZnO纳米线阵列紫外探测器 | 第13-15页 |
| 1.2.4 横向结构纳米线紫外探测器的研究进展 | 第15-18页 |
| 1.3 本论文的研究目标及主要内容 | 第18-20页 |
| 第二章 ZnO纳米线阵列的水热法生长与器件制备工艺流程 | 第20-40页 |
| 2.1 垂直结构ZnO纳米线阵列的水热法生长 | 第20-28页 |
| 2.1.1 水热合成法 | 第20-21页 |
| 2.1.2 衬底晶格对ZnO纳米线阵列生长的影响 | 第21-26页 |
| 2.1.3 种子层退火条件对氧化锌纳米线生长的影响 | 第26-28页 |
| 2.2 横向生长ZnO纳米线阵列的实现 | 第28-34页 |
| 2.2.1 基于ZnO种子层解理面的ZnO纳米线的横向生长 | 第28-29页 |
| 2.2.2 基于腐蚀种子层的ZnO纳米线的横向生长 | 第29-31页 |
| 2.2.3 基于剥离种子层的ZnO纳米线的横向生长 | 第31-32页 |
| 2.2.4 基于等离子体刻蚀种子层断面的ZnO纳米线的横向生长 | 第32-33页 |
| 2.2.5 横向生长方法的选择 | 第33-34页 |
| 2.3 传统微电子工艺与纳米技术相结合的紫外探测器件制备 | 第34-38页 |
| 2.4 本章小结 | 第38-40页 |
| 第三章 纳米线生长方式所决定的器件的光电响应特性 | 第40-54页 |
| 3.1 溶质资源竞争引起的不同金属电极器件特性的差异 | 第40-46页 |
| 3.1.1 溶质资源竞争现象 | 第40-43页 |
| 3.1.2 溶质资源竞争导致的器件结构的差异 | 第43页 |
| 3.1.3 不同金属电极器件的紫外响应特性 | 第43-46页 |
| 3.1.3.1 Cr电极器件的紫外响应特性 | 第45页 |
| 3.1.3.2 Ti/Au电极器件的紫外响应特性 | 第45-46页 |
| 3.2 纳米线阵列的横向生长与桥接器件结构 | 第46-51页 |
| 3.2.1 纳米线的横向生长与光刻制备工艺 | 第46-47页 |
| 3.2.2 纳米线台阶处成核与生长演化的观测 | 第47-49页 |
| 3.2.3 ZnO纳米线的横向生长机制 | 第49-50页 |
| 3.2.4 均匀的桥接结构的纳米线阵列探测器 | 第50-51页 |
| 3.3 本章小结 | 第51-54页 |
| 第四章 后工艺处理与器件特性的进一步提高 | 第54-60页 |
| 4.1 去纳米线处理与二次电极加固 | 第54-55页 |
| 4.2 Cr电极器件的特性改善 | 第55-57页 |
| 4.3 Ti/Au电极器件特性改善 | 第57-58页 |
| 4.4 器件的统计均匀性 | 第58-59页 |
| 4.5 本章小结 | 第59-60页 |
| 结论 | 第60-62页 |
| 参考文献 | 第62-66页 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文 | 第66-68页 |
| 致谢 | 第68页 |
