| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-22页 |
| 1.1 课题背景及研究的目的和意义 | 第9-10页 |
| 1.2 电离辐射效应 | 第10-15页 |
| 1.2.1 总剂量效应研究进展 | 第10-13页 |
| 1.2.2 ELDRS的研究进展 | 第13-15页 |
| 1.3 电离辐射缺陷 | 第15-18页 |
| 1.3.1 界面态 | 第16-17页 |
| 1.3.2 氧化物俘获正电荷 | 第17-18页 |
| 1.4 辐射温度对电离辐射的影响 | 第18-21页 |
| 1.5 本文的主要研究内容 | 第21-22页 |
| 第2章 试验器件及分析测试方法 | 第22-27页 |
| 2.1 试验器件 | 第22-23页 |
| 2.2 辐射试验 | 第23页 |
| 2.3 电性能测试 | 第23-24页 |
| 2.4 电离辐射缺陷的表征 | 第24-27页 |
| 2.4.1 栅扫描(GS) | 第24-25页 |
| 2.4.2 亚阈值扫描(SS) | 第25-26页 |
| 2.4.3 深能级瞬态谱(DLTS) | 第26-27页 |
| 第3章 不同温度下GLPNP晶体管电性能演化规律 | 第27-48页 |
| 3.1 电流增益倒数变化量 | 第27-29页 |
| 3.2 过剩电流 | 第29-33页 |
| 3.2.1 Gummel特性曲线 | 第29-31页 |
| 3.2.2 过剩基极电流 | 第31-33页 |
| 3.3 栅扫描曲线(GS曲线) | 第33-35页 |
| 3.4 亚阈值扫描(SS曲线) | 第35-38页 |
| 3.5 不同结构的晶体管的电性能的比较 | 第38-46页 |
| 3.5.1 电流增益倒数变化量 | 第38-40页 |
| 3.5.2 过剩基极电流 | 第40-41页 |
| 3.5.3 过剩集电极电流 | 第41-43页 |
| 3.5.4 GS曲线 | 第43-45页 |
| 3.5.5 SS曲线 | 第45-46页 |
| 3.6 本章小结 | 第46-48页 |
| 第4章 不同温度下GLPNP晶体管电离辐射缺陷研究 | 第48-64页 |
| 4.1 微观缺陷的表征 | 第48-53页 |
| 4.1.1 GS技术 | 第48-50页 |
| 4.1.2 SS技术 | 第50-52页 |
| 4.1.3 DLTS分析 | 第52-53页 |
| 4.2 不同结构的晶体管的缺陷演化 | 第53-60页 |
| 4.2.1 GS曲线分析 | 第53-56页 |
| 4.2.2 SS曲线分析 | 第56-59页 |
| 4.2.3 DLTS分析 | 第59-60页 |
| 4.3 缺陷演化机制 | 第60-62页 |
| 4.4 本章小结 | 第62-64页 |
| 结论 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-70页 |
| 致谢 | 第70页 |