| 摘要 | 第7-8页 |
| Abstract | 第8页 |
| 第1章 前言 | 第9-11页 |
| 第2章 文献综述 | 第11-27页 |
| 2.1 结晶技术及应用 | 第11-12页 |
| 2.2 溶液结晶过程的特征 | 第12页 |
| 2.3 晶体成核理论 | 第12-17页 |
| 2.3.1 经典成核理论 | 第12-14页 |
| 2.3.2 两步成核理论 | 第14-15页 |
| 2.3.3 成核前分子聚集体的研究 | 第15-17页 |
| 2.4 晶体生长理论 | 第17-20页 |
| 2.4.1 晶体平衡形态理论 | 第17-18页 |
| 2.4.2 界面生长理论 | 第18-20页 |
| 2.5 分子模拟技术 | 第20-23页 |
| 2.5.1 量子力学 | 第21页 |
| 2.5.2 分子力学 | 第21-22页 |
| 2.5.3 分子动力学 | 第22-23页 |
| 2.6 分子模拟在结晶中的应用 | 第23-26页 |
| 2.6.1 分子模拟技术在晶体形貌研究中的应用 | 第23-25页 |
| 2.6.2 分子模拟技术在溶液结构研究中的应用 | 第25-26页 |
| 2.7 本课题的研究体系和主要研究内容 | 第26-27页 |
| 第3章 L-丙氨酸分子聚集体研究 | 第27-34页 |
| 3.1 仪器和原料 | 第27-28页 |
| 3.2 计算方法 | 第28页 |
| 3.3 实验方法 | 第28-29页 |
| 3.4 结果与讨论 | 第29-33页 |
| 3.4.1 溶质分子存在形式 | 第29-31页 |
| 3.4.2 紫外表征稀溶液中丙氨酸分子聚集趋势 | 第31-33页 |
| 3.5 本章小结 | 第33-34页 |
| 第4章 溶液过饱和度对L-丙氨酸晶体不同晶面生长速率的影响 | 第34-46页 |
| 4.1 原料和仪器 | 第34-35页 |
| 4.2 实验内容 | 第35-37页 |
| 4.2.1 单晶培养 | 第35页 |
| 4.2.2 晶体生长实验 | 第35页 |
| 4.2.3 晶面生长速率的测定 | 第35-36页 |
| 4.2.4 晶面-溶液界面模拟 | 第36-37页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第37-44页 |
| 4.3.1 单晶 | 第37-38页 |
| 4.3.2 晶体生长形貌 | 第38-39页 |
| 4.3.3 晶体生长速率 | 第39-40页 |
| 4.3.4 溶质分子在溶剂化界面的扩散 | 第40-41页 |
| 4.3.5 单溶剂分子和单溶质分子吸附位点分析 | 第41-42页 |
| 4.3.6 溶质和溶剂在晶体界面的竞争吸附 | 第42-44页 |
| 4.3.7 溶质与晶面距离的径向分布函数 | 第44页 |
| 4.4 本章小结 | 第44-46页 |
| 第5章 杂质对L-丙氨酸晶体不同晶面生长速率的影响 | 第46-61页 |
| 5.1 实验和模拟方法 | 第47-48页 |
| 5.1.1 实验部分 | 第47页 |
| 5.1.2 计算方法和模型 | 第47-48页 |
| 5.2 结果与讨论 | 第48-60页 |
| 5.2.1 L-异亮氨酸对L-丙氨酸晶体形貌的影响 | 第48-50页 |
| 5.2.2 杂质分子的嵌入性分析 | 第50-51页 |
| 5.2.3 表面对接模型预测 | 第51-52页 |
| 5.2.4 杂质和溶质分子分别在晶面的吸附 | 第52-55页 |
| 5.2.5 溶质在杂质伪台阶位的吸附过程 | 第55-56页 |
| 5.2.6 溶剂和杂质对溶质分子扩散行为的耦合作用 | 第56-60页 |
| 5.3 本章小结 | 第60-61页 |
| 第6章 全文总结 | 第61-62页 |
| 参考文献 | 第62-70页 |
| 致谢 | 第70-71页 |
| 附录 | 第71页 |
