摘要 | 第3-5页 |
Abstract | 第5-6页 |
第1章 绪论 | 第10-28页 |
1.1 引言 | 第10-11页 |
1.2 纳米材料简介 | 第11-13页 |
1.2.1 纳米材料的概念 | 第11页 |
1.2.2 纳米材料的分类[8] | 第11-12页 |
1.2.3 纳米材料的性能 | 第12-13页 |
1.3 一维纳米材料 | 第13-17页 |
1.3.1 纳米线 | 第14页 |
1.3.2 一维异质结纳米材料 | 第14-15页 |
1.3.3 一维异质结纳米线特性及应用 | 第15-17页 |
1.4 CdSe纳米材料 | 第17-24页 |
1.4.1 Ⅱ-Ⅵ族半导体简介 | 第17-18页 |
1.4.2 CdSe纳米材料 | 第18页 |
1.4.3 CdSe纳米线的制备方法 | 第18-21页 |
1.4.4 CdSe纳米材料的潜在应用 | 第21-24页 |
1.5 磁性纳米材料 | 第24-25页 |
1.5.1 多层异质结磁性纳米线 | 第24-25页 |
1.6 一维纳米结构的光学耦合 | 第25页 |
1.7 AAO模板辅助电化学沉积多层纳米线 | 第25-27页 |
1.7.1 AAO模板的特点 | 第25-26页 |
1.7.2 电化学沉积制备多层纳米线 | 第26-27页 |
1.8 课题研究意义、主要内容及创新点 | 第27-28页 |
第2章 实验方法 | 第28-35页 |
2.1 实验原料与仪器设备 | 第28-29页 |
2.1.1 实验原料 | 第28-29页 |
2.1.2 实验仪器设备 | 第29页 |
2.2 电化学沉积法制备纳米材料 | 第29-31页 |
2.2.1 电化学沉积装置图 | 第29-30页 |
2.2.2 工作电极的制备 | 第30页 |
2.2.3 电化学沉积方法介绍 | 第30-31页 |
2.3 多层纳米线的制备方法 | 第31-32页 |
2.4 纳米线的形貌表征与性能测试 | 第32-35页 |
2.4.1 纳米线的形貌分析 | 第32页 |
2.4.2 纳米线成分分析 | 第32-33页 |
2.4.3 纳米线结构分析 | 第33页 |
2.4.4 紫外-可见吸收光谱分析 | 第33页 |
2.4.5 光致发光光谱分析 | 第33-34页 |
2.4.6 拉曼光谱分析 | 第34-35页 |
第3章 电化学沉积CdSe纳米线及其表征 | 第35-46页 |
3.1 引言 | 第35页 |
3.2 AAO模板的表征 | 第35-36页 |
3.2.1 AAO模板的形貌表征 | 第35-36页 |
3.2.2 AAO模板的结构表征 | 第36页 |
3.3 电化学沉积CdSe纳米线 | 第36-39页 |
3.3.1 CdSe沉积机理研究 | 第36-38页 |
3.3.2 CdSe纳米线沉积电位的选择 | 第38-39页 |
3.3.3 CdSe纳米线的沉积 | 第39页 |
3.4 CdSe纳米线表征 | 第39-42页 |
3.4.1 CdSe纳米线的形貌表征 | 第39-40页 |
3.4.2 CdSe纳米线的成分分析 | 第40-41页 |
3.4.3 CdSe纳米线的结构分析 | 第41-42页 |
3.5 CdSe纳米线的光学性质 | 第42-46页 |
3.5.1 CdSe纳米线的紫外-可见光谱分析 | 第42-43页 |
3.5.2 CdSe纳米线的拉曼光谱分析 | 第43-44页 |
3.5.3 CdSe纳米线的光致发光光谱分析 | 第44-45页 |
3.5.4 小结 | 第45-46页 |
第4章 Co/CdSe多层纳米线的制备及耦合效应的研究 | 第46-61页 |
4.1 引言 | 第46页 |
4.2 Co单质纳米线的制备及表征 | 第46-49页 |
4.2.1 Co单质纳米线的制备 | 第46-47页 |
4.2.2 Co纳米线的形貌分析 | 第47-48页 |
4.2.3 Co纳米线的结构分析 | 第48-49页 |
4.3 电化学沉积Co/CdSe多层纳米线 | 第49-50页 |
4.4 Co/CdSe多层纳米线的表征 | 第50-54页 |
4.4.1 Co/CdSe多层纳米线的形貌表征 | 第50-52页 |
4.4.2 Co/CdSe多层纳米线的成分分析 | 第52-54页 |
4.4.3 Co/CdSe多层纳米线的结构分析 | 第54页 |
4.5 Co/CdSe多层纳米线的光学性质 | 第54-61页 |
4.5.1 Co/CdSe多层纳米线的紫外-可见光谱分析 | 第54-56页 |
4.5.2 Co/CdSe多层纳米线的拉曼光谱分析 | 第56-58页 |
4.5.3 Co/CdSe多层纳米线的光致发光光谱分析 | 第58-60页 |
4.5.4 小结 | 第60-61页 |
第5章 结论 | 第61-62页 |
参考文献 | 第62-70页 |
致谢 | 第70页 |