| 摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5-7页 |
| 第1章 绪论 | 第11-18页 |
| 1.1 ZnO材料概述 | 第11-13页 |
| 1.1.1 ZnO基本性质 | 第11-12页 |
| 1.1.2 ZnO光学性能 | 第12-13页 |
| 1.1.3 ZnO电学性能 | 第13页 |
| 1.2 ZnO纳米材料 | 第13-15页 |
| 1.2.1 ZnO纳米材料基本性质 | 第13-14页 |
| 1.2.3 ZnO纳米材料的制备方法 | 第14-15页 |
| 1.3 纳米材料的气敏应用 | 第15页 |
| 1.4 纳米材料的场发射应用 | 第15-17页 |
| 1.5 本论文的研究内容及意义 | 第17-18页 |
| 第2章 材料制备与表征方法 | 第18-27页 |
| 2.1 材料制备 | 第18-21页 |
| 2.1.1 脉冲激光沉积 | 第18-19页 |
| 2.1.2 电阻式热蒸发 | 第19-20页 |
| 2.1.3 化学气相沉积 | 第20-21页 |
| 2.1.4 磁控溅射镀膜 | 第21页 |
| 2.2 样品表征 | 第21-27页 |
| 2.2.1 扫描电子显微镜（SEM） | 第21-22页 |
| 2.2.2 透射电子显微镜（TEM） | 第22-23页 |
| 2.2.3 X射线衍射仪（XRD） | 第23-24页 |
| 2.2.4 光致发光光谱（PL） | 第24-25页 |
| 2.2.5 场致电子发射（FEE） | 第25页 |
| 2.2.6 气敏性能综合分析 | 第25-27页 |
| 第3章 ZnO纳米线阵列的生长 | 第27-39页 |
| 3.1 ZnO纳米线阵列的生长工艺 | 第27-29页 |
| 3.2 Au薄膜上ZnO纳米线阵列的生长 | 第29-33页 |
| 3.2.1 电阻式热蒸发法沉积不同厚度的Au薄膜 | 第29-31页 |
| 3.2.2 不同Au薄膜厚度对ZnO纳米线阵列形貌的影响 | 第31-33页 |
| 3.3 ZnO晶种层薄膜上ZnO纳米线阵列的生长 | 第33-37页 |
| 3.3.1 PLD法沉积ZnO晶种层薄膜 | 第33-35页 |
| 3.3.2 生长温度对ZnO纳米线阵列形貌的影响 | 第35-37页 |
| 3.4 本章小结 | 第37-39页 |
| 第4章 Pd纳米颗粒表面修饰ZnO纳米线阵列的气敏性能研究 | 第39-52页 |
| 4.1 Pd颗粒表面修饰Au薄膜上ZnO纳米线阵列气敏特性研究 | 第39-43页 |
| 4.1.1 Pd纳米颗粒表面修饰ZnO纳米线阵列的制备 | 第39-41页 |
| 4.1.2 Pd纳米颗粒表面修饰后传感器的气敏性能研究 | 第41-43页 |
| 4.2 Pd颗粒表面修饰ZnO晶种层上ZnO纳米线阵列气敏特性研究 | 第43-49页 |
| 4.2.1 Pd纳米颗粒表面修饰ZnO纳米线阵列的制备 | 第43-46页 |
| 4.2.2 Pd纳米颗粒表面修饰后传感器的气敏性能研究 | 第46-49页 |
| 4.3 Pd纳米颗粒表面修饰对气敏性能影响机制 | 第49-51页 |
| 4.4 本章小结 | 第51-52页 |
| 第5章 Mo包覆ZnO纳米线阵列制备及其场发射性能研究 | 第52-60页 |
| 5.1 场发射测试装置 | 第52-53页 |
| 5.2 Mo包覆ZnO纳米线阵的制备 | 第53-56页 |
| 5.3 Mo包覆ZnO纳米线阵列的场发射性能研究 | 第56-59页 |
| 5.4 本章小结 | 第59-60页 |
| 第6章 总结与展望 | 第60-62页 |
| 6.1 总结 | 第60-61页 |
| 6.2 展望 | 第61-62页 |
| 参考文献 | 第62-68页 |
| 致谢 | 第68-69页 |
| 攻读硕士学位期间参与的科研项目与研究成果 | 第69页 |
| 一、参与的科研项目 | 第69页 |
| 二、研究成果 | 第69页 |
