10kV触头盒污秽、局部缺陷状态下的电场仿真研究
| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第10-16页 |
| 1.1 研究背景与意义 | 第10-11页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第11-15页 |
| 1.2.1 开关柜绝缘损坏研究现状 | 第11-14页 |
| 1.2.2 气泡放电模型研究现状 | 第14-15页 |
| 1.3 论文的主要研究内容 | 第15-16页 |
| 第2章 电场数值分析计算 | 第16-25页 |
| 2.1 电磁场数值解法 | 第16-18页 |
| 2.2 ANSYS有限元分析软件 | 第18-20页 |
| 2.3 ANSYS有限元法理论基础 | 第20-24页 |
| 2.3.1 电磁场基本理论——麦克斯韦方程组 | 第20-21页 |
| 2.3.2 一般形式的电磁场微分方程 | 第21-22页 |
| 2.3.3 电磁场中常见边界条件 | 第22页 |
| 2.3.4 三维有限元方法基本理论 | 第22-24页 |
| 2.4 本章小结 | 第24-25页 |
| 第3章 存在污秽触头盒电场仿真分析与验证 | 第25-49页 |
| 3.1 开关柜母线室计算模型建立 | 第25-28页 |
| 3.2 结果分析 | 第28-44页 |
| 3.2.1 正常情况 | 第28-31页 |
| 3.2.2 触头盒表面全覆盖污秽 | 第31-39页 |
| 3.2.3 触头盒表面存在局部污秽 | 第39-44页 |
| 3.3 测量验证 | 第44-47页 |
| 3.3.1 工频电场测量原理简介 | 第44-45页 |
| 3.3.2 测量工具简介 | 第45页 |
| 3.3.3 测量方法说明 | 第45-46页 |
| 3.3.4 结果对比 | 第46-47页 |
| 3.4 本章小结 | 第47-49页 |
| 第4章 存在局部气泡缺陷触头盒仿真分析 | 第49-59页 |
| 4.1 气泡局部放电 | 第49-51页 |
| 4.1.1 局部放电的特征 | 第49-50页 |
| 4.1.2 局部放电的分类 | 第50-51页 |
| 4.2 气泡缺陷对电位的影响 | 第51-53页 |
| 4.3 气泡缺陷对电场强度的影响 | 第53-57页 |
| 4.3.1 不同大小气泡缺陷对电场强度的影响 | 第53-55页 |
| 4.3.2 不同位置气泡缺陷对电场强度的影响 | 第55-57页 |
| 4.4 电压等级对缺陷处电场的影响 | 第57-58页 |
| 4.5 本章小结 | 第58-59页 |
| 第5章 污秽与缺陷状态雷电冲击分析 | 第59-67页 |
| 5.1 触头盒表面存在20mm宽干燥带 | 第59-63页 |
| 5.2 触头盒内部存在半径为3mm气泡缺陷 | 第63-66页 |
| 5.3 本章小结 | 第66-67页 |
| 总结与展望 | 第67-69页 |
| 参考文献 | 第69-73页 |
| 致谢 | 第73-74页 |
| 附录A 攻读学位期间科研成果 | 第74页 |
