| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 序言 | 第8-11页 |
| 1 引言 | 第11-23页 |
| 1.1 太阳能电池的工作原理及电学参数 | 第12-17页 |
| 1.1.1 基本结构及制备流程 | 第12-13页 |
| 1.1.2 工作原理及等效电路 | 第13-15页 |
| 1.1.3 晶体硅太阳能电池的电学参数 | 第15-17页 |
| 1.2 氮化钒材料的介绍 | 第17-20页 |
| 1.2.1 氮化钒分子性质 | 第17页 |
| 1.2.2 氮化钒的研究现状 | 第17-19页 |
| 1.2.3 氮化钒的制备方法 | 第19-20页 |
| 1.3 本文的研究意义 | 第20-23页 |
| 2 氮化钒薄膜的制备与表征 | 第23-52页 |
| 2.1 氮化钒薄膜的制备过程 | 第23-30页 |
| 2.1.1 反应磁控溅射的基本原理 | 第23-25页 |
| 2.1.2 沉积基片预处理 | 第25-26页 |
| 2.1.3 实验设计 | 第26-28页 |
| 2.1.4 X射线光电子能谱仪对薄膜成分的测定 | 第28-30页 |
| 2.2 NH_3流量对氮化钒薄膜制备及性能的影响 | 第30-40页 |
| 2.2.1 NH_3流量对氮化钒薄膜沉积速率的影响 | 第30-31页 |
| 2.2.2 NH_3流量对氮化钒薄膜形貌的影响 | 第31-36页 |
| 2.2.3 NH_3流量对氮化钒薄膜电阻率的影响 | 第36-38页 |
| 2.2.4 NH_3流量对氮化钒薄膜功函数的影响 | 第38-40页 |
| 2.3 沉积压强对氮化钒薄膜制备及性能的影响 | 第40-44页 |
| 2.3.1 沉积压强对氮化钒薄膜沉积速率的影响 | 第40-41页 |
| 2.3.2 沉积压强对氮化钒薄膜形貌影响 | 第41-42页 |
| 2.3.3 沉积压强对氮化钒薄膜电阻率影响 | 第42-43页 |
| 2.3.4 不同沉积压强下氮化钒薄膜的功函数 | 第43-44页 |
| 2.4 溅射功率对氮化钒薄膜制备及性能的影响 | 第44-47页 |
| 2.4.1 溅射功率对氮化钒薄膜沉积速率的影响 | 第44-45页 |
| 2.4.2 溅射功率对氮化钒薄膜表面形貌的影响 | 第45页 |
| 2.4.3 溅射功率对氮化钒薄膜电阻率的影响 | 第45-46页 |
| 2.4.4 不同溅射功率条件下薄膜的功函数 | 第46-47页 |
| 2.5 X射线衍射仪(XRD)对薄膜样品晶体结构的测定 | 第47-52页 |
| 2.5.1 以玻璃为衬底的氮化钒薄膜的微结构 | 第48-49页 |
| 2.5.2 以单晶硅为衬底氮化钒薄膜的微结构 | 第49-50页 |
| 2.5.3 退火对氮化钒薄膜结构的影响 | 第50-52页 |
| 3 氮化钒薄膜在晶体硅太阳能电池上的应用 | 第52-57页 |
| 3.1 氮化钒薄膜在晶体硅太阳能电池上的制备 | 第52-53页 |
| 3.2 SUNS- V_(OC)测试原理及特点 | 第53-54页 |
| 3.3 太阳能电池的V_(OC)测试及结果分析 | 第54-57页 |
| 4 结论 | 第57-59页 |
| 参考文献 | 第59-62页 |
| 作者简历及攻读硕士/博士学位期间取得的研究成果 | 第62-64页 |
| 学位论文数据集 | 第64页 |