| 中文摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-12页 |
| 第一章 引言 | 第12-19页 |
| ·硅基发光材料的研究背景 | 第12页 |
| ·硅基发光材料的研究现状 | 第12-15页 |
| ·硅基发光材料的发光特性 | 第12-14页 |
| ·硅基发光材料的研究进展 | 第14-15页 |
| ·富硅氮化硅薄膜性质及制备方法 | 第15-17页 |
| ·氮化硅薄膜的性质与应用 | 第15-16页 |
| ·富硅氮化硅薄膜的制备方法 | 第16-17页 |
| ·本论文研究内容及论文结构 | 第17-19页 |
| 第二章 等离子体化学气相沉积方法与样品的表征手段 | 第19-28页 |
| ·PECVD的基本特征 | 第19-20页 |
| ·PECVD法的沉积原理 | 第20-21页 |
| ·实验样品的表征手段及分析方法 | 第21-28页 |
| ·傅里叶变换红外光谱(FTIR) | 第21-22页 |
| ·X射线衍射谱(XRD) | 第22-23页 |
| ·紫外-可见光吸收谱(UV-Vis) | 第23-26页 |
| ·光致发光光谱(PL) | 第26页 |
| ·扫描电子显微镜(SEM) | 第26-28页 |
| 第三章 改变氮气对富硅-氮化硅结构及性质的影响 | 第28-36页 |
| ·实验目的 | 第28页 |
| ·实验过程 | 第28-29页 |
| ·实验结果与分析 | 第29-34页 |
| ·傅里叶变换红外光谱分析 | 第29-32页 |
| ·紫外-可见光谱分析 | 第32-34页 |
| ·本章小结 | 第34-36页 |
| 第四章 射频功率对富硅-氮化硅薄膜结构及性质影响 | 第36-42页 |
| ·实验目的 | 第36页 |
| ·实验过程 | 第36页 |
| ·实验结果与分析 | 第36-41页 |
| ·紫外-可见光谱及折射率分析 | 第36-38页 |
| ·傅里叶变换红外光谱分析 | 第38-40页 |
| ·薄膜SEM图分析 | 第40-41页 |
| ·本章小结 | 第41-42页 |
| 第五章 氢流量对富硅-氮化硅薄膜键结构及光学性质的影响 | 第42-50页 |
| ·实验目的 | 第42页 |
| ·实验过程 | 第42-43页 |
| ·实验结果与分析 | 第43-49页 |
| ·傅里叶变换红外光谱分析 | 第43-45页 |
| ·X射线衍射谱分析 | 第45-46页 |
| ·紫外-可见光谱分析 | 第46-47页 |
| ·PL光谱分析 | 第47-49页 |
| ·本章小结 | 第49-50页 |
| 第六章 结论与展望 | 第50-52页 |
| ·本文主要结论 | 第50-51页 |
| ·展望及对后续工作的建议 | 第51-52页 |
| 参考文献 | 第52-55页 |
| 攻读硕士期间发表和完成的论文 | 第55-56页 |
| 致谢 | 第56页 |