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真空蒸发掺杂ZnS薄膜的制备及其光电性能研究

中文摘要第1-5页
Abstract第5-10页
第一章 绪论第10-16页
   ·ZnS薄膜的晶体结构和能带结构第10-11页
   ·ZnS薄膜的基本特性及用途第11-12页
     ·光伏特性第11页
     ·电致发光第11页
     ·光催化性能第11-12页
     ·红外特性第12页
     ·气敏特性第12页
     ·压电特性第12页
   ·ZnS薄膜的研究现状第12-13页
   ·ZnS薄膜的制备技术第13-14页
     ·化学气相沉积(CVD)第13页
     ·分子束外延法(MBE)第13页
     ·磁控溅射法第13-14页
     ·真空蒸发法第14页
     ·脉冲激光沉积(PLD)第14页
     ·化学水浴法(CBD)第14页
   ·本论文研究的内容及创新点第14-15页
   ·本章小结第15-16页
第二章 实验方案及测试条件第16-28页
   ·电子束蒸发法制备ZnS薄膜的设备及工艺原理第16-17页
     ·电子束蒸发设备第16-17页
   ·薄膜制备流程及参数第17-22页
     ·实验材料第17-18页
     ·基片及清洗第18页
     ·掺杂ZnS薄膜的沉积过程第18-19页
     ·掺杂ZnS薄膜的制备条件及参数第19-22页
     ·掺杂薄膜的退火处理第22页
   ·薄膜的表征方法第22-27页
     ·X射线衍射(XRD)第22-24页
     ·原子力显微镜(AFM)第24-25页
     ·光学特性测试第25页
     ·光致发光谱(PL)第25-26页
     ·电感耦合等离子体原子发射光谱(ICP)第26-27页
     ·半导体霍尔测试第27页
   ·本章小结第27-28页
第三章 ZnS:In薄膜的制备及性能分析第28-43页
   ·基片温度对ZnS:In薄膜性能的影响第28-33页
     ·基片温度对ZnS:In薄膜结构的影响第28-30页
     ·基片温度对ZnS:In薄膜表面形貌的影响第30页
     ·基片温度对ZnS:In薄膜光学性能的影响第30-32页
     ·基片温度对ZnS:In薄膜电学性能的影响第32-33页
   ·掺杂浓度对ZnS:In薄膜性能的影响第33-36页
     ·掺杂浓度对ZnS:In薄膜结构的影响第33-34页
     ·掺杂浓度对ZnS:In薄膜PL的影响第34-35页
     ·掺杂浓度对ZnS:In薄膜光学性能第35-36页
     ·掺杂浓度对ZnS:In薄膜电学性能的影响第36页
   ·退火温度对ZnS:In薄膜性能的影响第36-39页
     ·退火温度对ZnS:In薄膜光学性能的影响第37页
     ·退火温度对ZnS:In薄膜电学性能的影响第37-39页
   ·退火时间对ZnS:In薄膜性能的影响第39-42页
     ·退火时间对ZnS:In薄膜光学性能的影响第40页
     ·退火时间对ZnS:In薄膜电学性能的影响第40-42页
   ·本章小节第42-43页
第四章 ZnS:Al薄膜的制备及性能分析第43-51页
   ·实验概述第43页
   ·ZnS:Al薄膜物相结构分析第43-44页
   ·基片温度对ZnS:Al薄膜光电性能的影响第44-45页
     ·基片温度对ZnS:Al薄膜光学性能的影响第44页
     ·基片温度对ZnS:Al薄膜电学性能的影响第44-45页
   ·掺杂浓度对ZnS:Al光电薄膜性能的影响第45-47页
     ·掺杂浓度对ZnS:Al薄膜光学性能的影响第45-46页
     ·掺杂浓度对ZnS:Al薄膜电学性能的影响第46-47页
   ·退火温度对ZnS:Al光电薄膜性能的影响第47-48页
     ·退火温度对ZnS:Al薄膜光学性能的影响第47页
     ·退火温度对ZnS:Al薄膜电学性能的影响第47-48页
   ·退火时间对ZnS:Al光电薄膜性能的影响第48-50页
     ·退火时间对ZnS:Al薄膜光学性能的影响第48-49页
     ·退火时间对ZnS:Al薄膜电学性能的影响第49-50页
   ·本章小节第50-51页
第五章 ZnS:Al-In共掺薄膜的制备及性能分析第51-60页
   ·不同掺杂比对共掺薄膜性能的影响第51-54页
     ·不同掺杂比对共掺薄膜结构的影响第52页
     ·掺杂比对ZnS:(In-Al)薄膜光学性能的影响第52-53页
     ·不同掺杂比对共掺薄膜电学性能的影响第53-54页
   ·退火温度对共掺薄膜性能的影响第54-57页
     ·退火温度对共掺薄膜光学性能的影响第54-56页
     ·退火温度对共掺薄膜电学性能的影响第56-57页
   ·退火时间对共掺薄膜性能的影响第57-59页
     ·退火时间对共掺薄膜光学性能的影响第57-58页
     ·退火时间对共掺薄膜电学性能的影响第58-59页
   ·本章小节第59-60页
第六章 ZnS薄膜与Si异质结的Ⅰ-Ⅴ特性研究第60-67页
   ·半导体异质结及其应用第60-61页
     ·基本概念第60页
     ·半导体异质结构的应用第60-61页
   ·不同衬底材料的ZnS异质结Ⅰ-Ⅴ特性研究第61-63页
   ·Si衬底材料下ZnS掺杂异质结Ⅰ-Ⅴ特性研究第63-66页
   ·本章小结第66-67页
结论第67-69页
参考文献第69-77页
致谢第77-78页
个人简历、在学期间的研究结果及发表的学术论文第78页

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