| 中文摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-16页 |
| ·ZnS薄膜的晶体结构和能带结构 | 第10-11页 |
| ·ZnS薄膜的基本特性及用途 | 第11-12页 |
| ·光伏特性 | 第11页 |
| ·电致发光 | 第11页 |
| ·光催化性能 | 第11-12页 |
| ·红外特性 | 第12页 |
| ·气敏特性 | 第12页 |
| ·压电特性 | 第12页 |
| ·ZnS薄膜的研究现状 | 第12-13页 |
| ·ZnS薄膜的制备技术 | 第13-14页 |
| ·化学气相沉积(CVD) | 第13页 |
| ·分子束外延法(MBE) | 第13页 |
| ·磁控溅射法 | 第13-14页 |
| ·真空蒸发法 | 第14页 |
| ·脉冲激光沉积(PLD) | 第14页 |
| ·化学水浴法(CBD) | 第14页 |
| ·本论文研究的内容及创新点 | 第14-15页 |
| ·本章小结 | 第15-16页 |
| 第二章 实验方案及测试条件 | 第16-28页 |
| ·电子束蒸发法制备ZnS薄膜的设备及工艺原理 | 第16-17页 |
| ·电子束蒸发设备 | 第16-17页 |
| ·薄膜制备流程及参数 | 第17-22页 |
| ·实验材料 | 第17-18页 |
| ·基片及清洗 | 第18页 |
| ·掺杂ZnS薄膜的沉积过程 | 第18-19页 |
| ·掺杂ZnS薄膜的制备条件及参数 | 第19-22页 |
| ·掺杂薄膜的退火处理 | 第22页 |
| ·薄膜的表征方法 | 第22-27页 |
| ·X射线衍射(XRD) | 第22-24页 |
| ·原子力显微镜(AFM) | 第24-25页 |
| ·光学特性测试 | 第25页 |
| ·光致发光谱(PL) | 第25-26页 |
| ·电感耦合等离子体原子发射光谱(ICP) | 第26-27页 |
| ·半导体霍尔测试 | 第27页 |
| ·本章小结 | 第27-28页 |
| 第三章 ZnS：In薄膜的制备及性能分析 | 第28-43页 |
| ·基片温度对ZnS：In薄膜性能的影响 | 第28-33页 |
| ·基片温度对ZnS：In薄膜结构的影响 | 第28-30页 |
| ·基片温度对ZnS：In薄膜表面形貌的影响 | 第30页 |
| ·基片温度对ZnS：In薄膜光学性能的影响 | 第30-32页 |
| ·基片温度对ZnS：In薄膜电学性能的影响 | 第32-33页 |
| ·掺杂浓度对ZnS：In薄膜性能的影响 | 第33-36页 |
| ·掺杂浓度对ZnS：In薄膜结构的影响 | 第33-34页 |
| ·掺杂浓度对ZnS：In薄膜PL的影响 | 第34-35页 |
| ·掺杂浓度对ZnS：In薄膜光学性能 | 第35-36页 |
| ·掺杂浓度对ZnS：In薄膜电学性能的影响 | 第36页 |
| ·退火温度对ZnS：In薄膜性能的影响 | 第36-39页 |
| ·退火温度对ZnS：In薄膜光学性能的影响 | 第37页 |
| ·退火温度对ZnS：In薄膜电学性能的影响 | 第37-39页 |
| ·退火时间对ZnS：In薄膜性能的影响 | 第39-42页 |
| ·退火时间对ZnS：In薄膜光学性能的影响 | 第40页 |
| ·退火时间对ZnS：In薄膜电学性能的影响 | 第40-42页 |
| ·本章小节 | 第42-43页 |
| 第四章 ZnS：Al薄膜的制备及性能分析 | 第43-51页 |
| ·实验概述 | 第43页 |
| ·ZnS：Al薄膜物相结构分析 | 第43-44页 |
| ·基片温度对ZnS：Al薄膜光电性能的影响 | 第44-45页 |
| ·基片温度对ZnS：Al薄膜光学性能的影响 | 第44页 |
| ·基片温度对ZnS：Al薄膜电学性能的影响 | 第44-45页 |
| ·掺杂浓度对ZnS：Al光电薄膜性能的影响 | 第45-47页 |
| ·掺杂浓度对ZnS：Al薄膜光学性能的影响 | 第45-46页 |
| ·掺杂浓度对ZnS：Al薄膜电学性能的影响 | 第46-47页 |
| ·退火温度对ZnS：Al光电薄膜性能的影响 | 第47-48页 |
| ·退火温度对ZnS：Al薄膜光学性能的影响 | 第47页 |
| ·退火温度对ZnS：Al薄膜电学性能的影响 | 第47-48页 |
| ·退火时间对ZnS：Al光电薄膜性能的影响 | 第48-50页 |
| ·退火时间对ZnS：Al薄膜光学性能的影响 | 第48-49页 |
| ·退火时间对ZnS：Al薄膜电学性能的影响 | 第49-50页 |
| ·本章小节 | 第50-51页 |
| 第五章 ZnS：Al-In共掺薄膜的制备及性能分析 | 第51-60页 |
| ·不同掺杂比对共掺薄膜性能的影响 | 第51-54页 |
| ·不同掺杂比对共掺薄膜结构的影响 | 第52页 |
| ·掺杂比对ZnS：(In-Al)薄膜光学性能的影响 | 第52-53页 |
| ·不同掺杂比对共掺薄膜电学性能的影响 | 第53-54页 |
| ·退火温度对共掺薄膜性能的影响 | 第54-57页 |
| ·退火温度对共掺薄膜光学性能的影响 | 第54-56页 |
| ·退火温度对共掺薄膜电学性能的影响 | 第56-57页 |
| ·退火时间对共掺薄膜性能的影响 | 第57-59页 |
| ·退火时间对共掺薄膜光学性能的影响 | 第57-58页 |
| ·退火时间对共掺薄膜电学性能的影响 | 第58-59页 |
| ·本章小节 | 第59-60页 |
| 第六章 ZnS薄膜与Si异质结的Ⅰ-Ⅴ特性研究 | 第60-67页 |
| ·半导体异质结及其应用 | 第60-61页 |
| ·基本概念 | 第60页 |
| ·半导体异质结构的应用 | 第60-61页 |
| ·不同衬底材料的ZnS异质结Ⅰ-Ⅴ特性研究 | 第61-63页 |
| ·Si衬底材料下ZnS掺杂异质结Ⅰ-Ⅴ特性研究 | 第63-66页 |
| ·本章小结 | 第66-67页 |
| 结论 | 第67-69页 |
| 参考文献 | 第69-77页 |
| 致谢 | 第77-78页 |
| 个人简历、在学期间的研究结果及发表的学术论文 | 第78页 |