| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 目录 | 第7-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-20页 |
| ·引言 | 第9-10页 |
| ·新型非挥发性存储器 | 第10-13页 |
| ·磁存储器 | 第10页 |
| ·铁电存储器 | 第10-11页 |
| ·相变存储器 | 第11页 |
| ·阻变存储器 | 第11-13页 |
| ·阻变存储器的材料体系及存储机理 | 第13-15页 |
| ·阻变存储器的材料体系 | 第13-14页 |
| ·阻变存储器的存储机理 | 第14-15页 |
| ·评判阻变存储器性能的主要参数 | 第15-16页 |
| ·WOx-RRAM 的研究现状及存在问题 | 第16-18页 |
| ·WOx-RRAM 的研究现状 | 第16-18页 |
| ·WOx-RRAM 存在的问题 | 第18页 |
| ·本论文的主要研究内容 | 第18-20页 |
| 第二章 WOx-RRAM 单元的制备与表征 | 第20-27页 |
| ·本文所选用的器件结构及相应的工艺流程 | 第20页 |
| ·薄膜制备 | 第20-24页 |
| ·多功能磁控与离子束联合溅射沉积系统 | 第20-22页 |
| ·电子束蒸发系统 | 第22页 |
| ·快速退火炉 | 第22-24页 |
| ·薄膜表征 | 第24-26页 |
| ·XRD 分析 | 第24页 |
| ·AFM 分析 | 第24-25页 |
| ·台阶仪 | 第25-26页 |
| ·器件电学性能测试 | 第26-27页 |
| 第三章 Al/WOx/Cu 结构 RRAM 单元的性能及机理研究 | 第27-40页 |
| ·实验 | 第27-28页 |
| ·WOx 薄膜结构与形貌表征 | 第28-30页 |
| ·Al/WOx/Cu 结构阻变特性研究 | 第30-39页 |
| ·电学特性测试 | 第30-32页 |
| ·阻变机理探索 | 第32-38页 |
| ·物理模型构建 | 第38-39页 |
| ·本章小结 | 第39-40页 |
| 第四章 CuOx 叠层对 WOx 膜阻变性能的提升及机理研究 | 第40-55页 |
| ·实验 | 第40-41页 |
| ·Al/WOx/CuOx/Cu 结构 RRAM 阻变特性研究 | 第41-53页 |
| ·Cu 下电极热氧化处理时间对器件阻变性能的影响 | 第41-43页 |
| ·器件非挥发存储特性测试 | 第43-46页 |
| ·叠层结构对阻变性能的改善 | 第46-49页 |
| ·叠层结构阻变机理分析 | 第49-53页 |
| ·本章小结 | 第53-55页 |
| 第五章 Al/WOx/CuOx/Cu 结构单极存储特性研究 | 第55-64页 |
| ·实验 | 第55-56页 |
| ·Al/WOx/CuOx/Cu 结构单极存储特性 | 第56-63页 |
| ·单极阻变特性测试 | 第56-59页 |
| ·阻变机理分析 | 第59-63页 |
| ·本章小结 | 第63-64页 |
| 第六章 总结与展望 | 第64-66页 |
| ·论文工作总结 | 第64-65页 |
| ·未来工作展望 | 第65-66页 |
| 参考文献 | 第66-72页 |
| 发表论文和科研情况 | 第72-73页 |
| 致谢 | 第73-74页 |
