| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-8页 |
| 1 绪论 | 第8-18页 |
| ·纳米材料概述与分类 | 第8-10页 |
| ·概述 | 第8-9页 |
| ·纳米材料的分类 | 第9-10页 |
| ·纳米半导体材料 | 第10-14页 |
| ·纳米半导体材料的光学特性 | 第10-11页 |
| ·纳米半导体材料的制备方法 | 第11-13页 |
| ·纳米半导体材料的应用前景 | 第13-14页 |
| ·硫化物半导体纳米材料的研究现状 | 第14-17页 |
| ·硫化锑(Sb_2S_3) | 第14-15页 |
| ·硫化镉(CdS) | 第15-17页 |
| ·本论文研究内容与创新点 | 第17-18页 |
| 2 Sb_2S_3纳米晶的制备与表征 | 第18-29页 |
| ·试剂与仪器 | 第18页 |
| ·试剂 | 第18页 |
| ·仪器 | 第18页 |
| ·Sb_2S_3纳米晶的制备 | 第18-19页 |
| ·水热法制备Sb_2S_3纳米晶 | 第18-19页 |
| ·Sb_2S_3纳米晶的表征 | 第19-23页 |
| ·X-射线粉末衍射(XRD)表征 | 第19页 |
| ·拉曼光谱(Raman)表征 | 第19-20页 |
| ·X-射线光电子能谱(XPS)表征 | 第20-21页 |
| ·紫外-可见漫反射(Uv-vis DRS)表征 | 第21-22页 |
| ·能量散射X-射线能谱(EDS)表征 | 第22页 |
| ·TEM与SEM分析 | 第22-23页 |
| ·反应条件对Sb_2S_3微晶形貌的影响 | 第23-27页 |
| ·反应时间的影响 | 第23-24页 |
| ·反应温度的影响 | 第24-25页 |
| ·表面活性剂与S/Sb比的影响 | 第25-27页 |
| ·菜花状Sb_2S_3微晶形成过程与机理 | 第27-28页 |
| ·本章小结 | 第28-29页 |
| 3 CdS纳米晶的制备、表征及性能研究 | 第29-49页 |
| ·试剂与仪器 | 第29页 |
| ·试剂 | 第29页 |
| ·仪器 | 第29页 |
| ·CdS纳米晶的制备 | 第29-30页 |
| ·黄药简介 | 第29-30页 |
| ·制备前躯体乙基黄原酸镉((C_2H_5OCS_2)_2Cd) | 第30页 |
| ·水热法制备CdS纳米晶 | 第30页 |
| ·CdS纳米晶的表征 | 第30-35页 |
| ·X-射线粉末衍射(XRD)表征 | 第30-31页 |
| ·荧光光谱(PL)表征 | 第31-32页 |
| ·X-射线光电子能谱(XPS)表征 | 第32-33页 |
| ·拉曼光谱(Raman)表征 | 第33页 |
| ·TEM表征 | 第33-35页 |
| ·反应条件对产物微结构与光学性质的影响 | 第35-40页 |
| ·过量硫源与镉源对产物形貌的影响 | 第35页 |
| ·不同质量前驱体(乙基黄原酸镉)对产物微结构的影响 | 第35-36页 |
| ·反应温度与时间对产物形貌的影响 | 第36-38页 |
| ·溶剂对产物形貌与光学性质的影响 | 第38-40页 |
| ·多种形貌的CdS的形成机理 | 第40-41页 |
| ·CdS纳米晶的光催化性能研究 | 第41-48页 |
| ·实验方法 | 第41-42页 |
| ·实验过程 | 第42-43页 |
| ·光催化效果分析 | 第43-48页 |
| ·CdS光催化剂的降解机理 | 第48页 |
| ·本章小结 | 第48-49页 |
| 4 水浴法制备CdS纳米晶 | 第49-59页 |
| ·试剂与仪器 | 第49页 |
| ·试剂 | 第49页 |
| ·仪器 | 第49页 |
| ·水浴法制备CdS纳米晶及其表征 | 第49-53页 |
| ·制备前躯体乙基黄原酸镉((C_2H_5OCS_2)_2Cd) | 第49页 |
| ·水浴法制备CdS纳米晶 | 第49页 |
| ·CdS纳米晶的表征 | 第49-53页 |
| ·水浴法制备均匀球状CdS纳米晶 | 第53-58页 |
| ·制备前躯体乙基黄原酸镉((C_2H_5OCS_2)_2Cd) | 第53页 |
| ·水浴法制备CdS纳米晶 | 第53页 |
| ·CdS纳米晶的表征 | 第53-55页 |
| ·反应条件对CdS纳米晶形貌的影响 | 第55-56页 |
| ·光催化性能测试 | 第56-58页 |
| ·本章小结 | 第58-59页 |
| 5 全文总结 | 第59-60页 |
| 致谢 | 第60-61页 |
| 参考文献 | 第61-67页 |
| 攻读硕士期间发表的论文 | 第67页 |
