| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-8页 |
| 目录 | 第8-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-30页 |
| ·太阳电池概况 | 第10-15页 |
| ·发展太阳电池的意义 | 第10-11页 |
| ·太阳电池的发展现状 | 第11-12页 |
| ·太阳电池的种类及应用 | 第12-14页 |
| ·CIS和CIGS薄膜太阳电池的发展现状 | 第14-15页 |
| ·CIS和CIGS薄膜的制备方法 | 第15-19页 |
| ·真空蒸镀法 | 第15-16页 |
| ·磁控溅射法 | 第16页 |
| ·涂覆法 | 第16-17页 |
| ·电沉积方法 | 第17-19页 |
| ·电沉积CIS和CIGS薄膜的研究进展 | 第19-25页 |
| ·电镀体系的优化 | 第19-22页 |
| ·络合剂的选择 | 第22-23页 |
| ·沉积机理的研究 | 第23-24页 |
| ·预制层后处理-化学组成的调控 | 第24-25页 |
| ·电沉积CIS和CIGS工艺的主要参数 | 第25-28页 |
| ·本课题研究的内容及目的意义 | 第28-30页 |
| ·研究内容 | 第28页 |
| ·研究目的及意义 | 第28-30页 |
| 第二章 实验过程及测试分析方法 | 第30-33页 |
| ·实验过程 | 第30-31页 |
| ·溶液配制 | 第30页 |
| ·基底清洗 | 第30-31页 |
| ·恒电位电沉积 | 第31页 |
| ·电化学测试分析 | 第31页 |
| ·薄膜表征方法 | 第31-33页 |
| ·扫描电镜分析(SEM)及能谱分析(EDS) | 第31页 |
| ·拉曼光谱分析(Raman Scattering) | 第31-33页 |
| 第三章 CuInSe_2和Cu(In,Ga)Se_2沉积机理研究 | 第33-58页 |
| ·新型酸性镀液络合剂的开发 | 第33-37页 |
| ·CIS和CIGS常用络合剂的评价 | 第33-36页 |
| ·CIS和CIGS新型络合剂的选择 | 第36-37页 |
| ·CuInSe_2和Cu(In,Ga)Se_2沉积机理 | 第37-49页 |
| ·CuInSe_2和Cu(In,Ga)Se_2电化学行为研究 | 第37-46页 |
| ·In和Ga的并入机理 | 第46-49页 |
| ·络合剂氨基磺酸钠对CIGS电沉积的作用机理 | 第49-57页 |
| ·氨基磺酸钠对CIGS电化学行为的影响 | 第49-53页 |
| ·氨基磺酸钠对CIGS薄膜成分、形貌和结构的影响 | 第53-57页 |
| ·本章小结 | 第57-58页 |
| 第四章 电沉积CuInSe_2和Cu(In,Ga)Se_2薄膜的工艺优化 | 第58-85页 |
| ·电沉积CuInSe_2薄膜的工艺优化 | 第58-68页 |
| ·沉积电位对CuUnSe_2薄膜成分和形貌的影响 | 第58-61页 |
| ·CuCl_2浓度对CuInSe_2薄膜成分和形貌的影响 | 第61-63页 |
| ·InCl_3浓度对CuInSe_2薄膜成分和形貌的影响 | 第63-64页 |
| ·SeO_2浓度对CuInSe_2薄膜成分和形貌的影响 | 第64-66页 |
| ·溶液pH值对CuInSe_2薄膜成分形貌的影响 | 第66-68页 |
| ·温度对CuInSe_2薄膜成分的影响 | 第68页 |
| ·电沉积Cu(In,Ga)Se_2薄膜的工艺优化 | 第68-83页 |
| ·CuCl_2浓度对Cu(In,Ga)Se_2薄膜成分和形貌的影响 | 第68-71页 |
| ·SeO_2浓度对Cu(In,Ga)Se_2薄膜成分形貌的影响 | 第71-74页 |
| ·InCl_3浓度对Cu(In,Ga)Se_2薄膜成分形貌的影Ⅱ向 | 第74-76页 |
| ·GaCl-3浓度对Cu(In,Ga)Se_2薄膜成分形貌的影响 | 第76-78页 |
| ·沉积温度对Cu(In,Ga)Se_2薄膜成分、形貌和结构的影响 | 第78-82页 |
| ·溶液pH值对Cu(In,Ga)Se_2薄膜成分和形貌的影响 | 第82-83页 |
| ·本章小结 | 第83-85页 |
| 第五章 结论及展望 | 第85-87页 |
| 参考文献 | 第87-94页 |
| 致谢 | 第94-95页 |
| 攻读学位期间主要的研究成果目录 | 第95页 |
