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金刚石多晶材料的制备与功能特性研究

摘要第1-4页
ABSTRACT第4-9页
第一章 绪论第9-30页
   ·金刚石的结构、性质和合成方法第9-16页
     ·金刚石的结构第9-11页
     ·金刚石的性质第11-15页
     ·金刚石的合成第15-16页
   ·金刚石多晶材料的烧结第16-21页
     ·高温高压烧结法第16-19页
     ·低温常压烧结法第19-21页
   ·金刚石功能材料的国内外研究进展和应用前景第21-28页
     ·金刚石作为宽禁带半导体材料的应用研究第21-24页
     ·金刚石作为声波材料和电子封装材料的应用研究第24-27页
     ·在其他领域的应用第27-28页
   ·本课题研究的主要内容和目的意义第28-30页
第二章 实验设计与研究方法第30-40页
   ·研究思路第30-32页
     ·高温高压法合成多晶金刚石材料第30-31页
     ·低温常压烧结法合成金刚石多晶复合材料第31-32页
   ·实验设计与工艺过程第32-37页
     ·高温高压烧结法实验设计第32-34页
     ·低温常压烧结法实验设计第34-37页
   ·研究方法第37-39页
     ·溶胶聚集状态与凝胶时间的判定第37页
     ·物相分析和微观结构第37-38页
     ·光致发光光谱测试第38页
     ·介电性能测试第38-39页
   ·本实验所用的其它仪器和设备第39-40页
第三章 添加剂对金刚石多晶材料的高温高压烧结及性能的影响第40-57页
   ·前言第40页
   ·高温高压烧结含Zn 金刚石多晶材料的性能研究第40-50页
     ·Zn 对金刚石石墨化的抑制作用第40-42页
     ·含Zn 金刚石多晶材料的室温光致发光性第42-44页
     ·含Zn 金刚石多晶材料的的荧光发射现象第44-48页
     ·含Zn 金刚石多晶材料的体积电阻率第48-49页
     ·含Zn金刚石多晶材料的的介电常数和介电损耗第49-50页
   ·高温高压烧结含Si-Zn 复合添加剂金刚石多晶材料的性能研究第50-55页
     ·Si-Zn 对金刚石石墨化的影响第50-52页
     ·含Si-Zn 金刚石多晶材料的室温光致发光性能第52页
     ·含Si-Zn 金刚石多晶材料的体积电阻率第52-54页
     ·含Si-Zn 金刚石多晶材料的介电性能第54-55页
   ·本章小结第55-57页
第四章 金刚石多晶材料的固相反应低温常压烧结及性能研究第57-68页
   ·无机固相反应烧结结合剂的设计和研究第57-58页
   ·烧结温度对金刚石多晶材料的微观形貌和介电性能的影响第58-61页
     ·烧结温度对金刚石/陶瓷多晶复合材料显微结构的影响第58-59页
     ·烧结温度对金刚石多晶材料的介电常数和介电损耗的影响第59-61页
   ·添加剂对低温常压烧结金刚石多晶材料性能的影响第61-66页
     ·Na_2O 对金刚石多晶材料的介电常数和介电损耗的影响第61-62页
     ·CaO 对金刚石多晶材料介电常数和介电损耗的影响第62-64页
     ·MgO 对金刚石多晶材料的介电常数和介电损耗的影响第64-66页
   ·本章小结第66-68页
第五章 金刚石多晶材料的溶胶凝胶法低温常压烧结及性能研究第68-86页
   ·前言第68页
   ·溶胶-凝胶工艺参数的优化组合第68-78页
     ·溶液的pH 值对体系凝胶化时间的影响第69-70页
     ·环境温度对凝胶化时间的影响第70-71页
     ·水硅比对凝胶化时间的影响第71-72页
     ·乙醇的添加量对凝胶化时间的影响第72-76页
     ·催化剂对凝胶化时间的影响第76-78页
   ·溶胶-凝胶法制备的无机烧结结合剂的特性研究第78-81页
     ·凝胶无机烧结结合剂的热分析第78-79页
     ·无机烧结结合剂的FTIR 和XRD 分析第79-81页
   ·溶胶-凝胶法制备金刚石多晶材料的性能研究第81-85页
   ·本章小结第85-86页
第六章 柠檬酸对溶胶凝胶法低温常压烧结金刚石多晶材料性能的影响第86-97页
   ·前言第86页
   ·柠檬酸对溶胶凝胶体系的生成和多晶材料结构的影响第86-94页
     ·柠檬酸与金属阳离子的配位结构第86-88页
     ·柠檬酸与TEOS 的交联效应第88-91页
     ·柠檬酸添加量对金刚石/陶瓷多晶复合材料的微观结构的影响第91-94页
   ·柠檬酸络合-金刚石/陶瓷复合多晶材料的介电性能第94-95页
   ·本章小结第95-97页
第七章 结论第97-99页
参考文献第99-114页
发表论文和参加科研情况说明第114-115页
致谢第115页

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