| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 第1章 绪论 | 第9-19页 |
| ·非易失性存储器 | 第9-10页 |
| ·铁电体和铁电存储器 | 第10-14页 |
| ·铁电体 | 第10-11页 |
| ·铁电存储器的分类 | 第11页 |
| ·铁电存储器的发展历史与研究现状 | 第11-14页 |
| ·铁电场效应晶体管 FeFET | 第14-16页 |
| ·FeFET 的存储原理 | 第14页 |
| ·FeFET 的发展历史与研究现状 | 第14-16页 |
| ·隧穿场效应晶体管 | 第16-18页 |
| ·本论文的选题依据和主要内容 | 第18-19页 |
| ·选题依据 | 第18页 |
| ·研究思路和主要内容 | 第18-19页 |
| 第2章 铁电场效应晶体管的电学性能的模拟 | 第19-31页 |
| ·Silvaco/Atlas 模拟软件 | 第19-23页 |
| ·Silvaco/Atlas 对半导体器件模拟的基本方法 | 第20-22页 |
| ·Silvaco/Atlas 对铁电极化的描述 | 第22-23页 |
| ·MFIS 铁电电容器 | 第23-24页 |
| ·FeFET 的参数优化 | 第24-29页 |
| ·电学参数对 FeFET 的影响 | 第24-26页 |
| ·材料参数对 FeFET 的影响 | 第26-28页 |
| ·温度对 FeFET 的影响 | 第28-29页 |
| ·小结 | 第29-31页 |
| 第3章 隧穿场效应晶体管的电学性能的模拟 | 第31-40页 |
| ·带间隧穿模型 | 第31-32页 |
| ·Silvaco/Atlas 中的隧穿模型 | 第32-33页 |
| ·TFET 的参数优化 | 第33-39页 |
| ·双栅结构 TFET | 第35页 |
| ·high- 材料的选择 | 第35页 |
| ·体硅厚度的选择 | 第35-38页 |
| ·掺杂浓度的选择 | 第38-39页 |
| ·小结 | 第39-40页 |
| 第4章 铁电隧穿场效应晶体管电学性能的模拟 | 第40-50页 |
| ·铁电晶体管的负电容效应 | 第40-41页 |
| ·负电容效应对铁电隧穿场效应晶体管的影响 | 第41-43页 |
| ·铁电隧穿场效应晶体管的存储功能 | 第43-49页 |
| ·铁电隧穿场效应晶体管与 FeFET 对比 | 第44-45页 |
| ·铁电薄膜材料与体硅厚度对铁电隧穿场效应晶体管的影响 | 第45-49页 |
| ·小结 | 第49-50页 |
| 第5章 总结与展望 | 第50-52页 |
| ·论文总结 | 第50-51页 |
| ·工作展望 | 第51-52页 |
| 参考文献 | 第52-56页 |
| 致谢 | 第56-57页 |
| 攻读学位期间发表论文目录 | 第57-58页 |
| 附录 铁电场效应晶体管的 TCAD 程序 | 第58-67页 |