| 摘要 | 第1-7页 |
| ABSTRACT | 第7-18页 |
| 第一章 绪论 | 第18-38页 |
| ·透明导电薄膜概述 | 第18-19页 |
| ·透明导电氧化物(TCO)薄膜介绍 | 第19-26页 |
| ·TCO薄膜的特性 | 第19-20页 |
| ·TCO薄膜的发展及分类 | 第20-23页 |
| ·SnO_2类TCO薄膜 | 第21-22页 |
| ·In_2O_3类TCO薄膜 | 第22页 |
| ·ZnO类TCO薄膜 | 第22-23页 |
| ·TCO薄膜的制备方法 | 第23-25页 |
| ·TCO薄膜的应用 | 第25-26页 |
| ·计算方法简介 | 第26-33页 |
| ·第一性原理 | 第27-28页 |
| ·密度泛函理论(DFT)基本理论简介 | 第28-30页 |
| ·Hohenber-Kohn定理 | 第29页 |
| ·Khon-Sham方程 | 第29页 |
| ·广义梯度近似(GGA) | 第29-30页 |
| ·参量及定义 | 第30-33页 |
| ·超晶胞 | 第30页 |
| ·布里渊区K空间取样点 | 第30页 |
| ·能带结构及能带理论 | 第30-31页 |
| ·费米能级 | 第31-32页 |
| ·态密度(DOS) | 第32页 |
| ·有效质量 | 第32-33页 |
| ·结合能与形成能 | 第33页 |
| ·VASP程序简介 | 第33-36页 |
| ·VASP程序的主要输入文件 | 第34-35页 |
| ·INCAR文件 | 第34页 |
| ·KPOINTS文件 | 第34页 |
| ·POTCAR文件 | 第34页 |
| ·POSCAR文件 | 第34-35页 |
| ·VASP常见的密度泛函计算方法及一般计算过程简介 | 第35-36页 |
| ·本课题的研究目的、主要内容及意义 | 第36-38页 |
| 第二章 本征态SnO_2的第一性原理计算 | 第38-54页 |
| ·引言 | 第38-39页 |
| ·计算方法及参数设定 | 第39页 |
| ·计算模型 | 第39-40页 |
| ·计算结果与分析 | 第40-51页 |
| ·本征态SnO_2的GGA-PBE计算 | 第40-47页 |
| ·结构优化 | 第40页 |
| ·能带结构及态密度分布 | 第40-42页 |
| ·有效质量 | 第42-43页 |
| ·光学性能 | 第43-47页 |
| ·本征态SnO_2的HSEO_6混合泛函计算 | 第47-51页 |
| ·结构优化 | 第47页 |
| ·能带结构及有效质量分析 | 第47-49页 |
| ·光学性能 | 第49-51页 |
| ·本章小结 | 第51-54页 |
| 第三章 单元素掺杂SnO_2的第一性原理计算 | 第54-64页 |
| ·引言 | 第54-55页 |
| ·计算方法及参数设定 | 第55页 |
| ·计算模型 | 第55-56页 |
| ·计算结果与分析 | 第56-63页 |
| ·形成能 | 第56-57页 |
| ·电子结构 | 第57-61页 |
| ·有效质量 | 第61-63页 |
| ·本章小结 | 第63-64页 |
| 第四章 双元素掺杂SnO_2的第一性原理计算 | 第64-78页 |
| ·引言 | 第64页 |
| ·计算方法及参数设定 | 第64-65页 |
| ·计算模型 | 第65页 |
| ·计算结果与分析 | 第65-76页 |
| ·双元素共掺杂SnO_2的GGA-PBE计算 | 第65-70页 |
| ·FPTO的HSE06混合泛函计算 | 第70-76页 |
| ·电子结构 | 第71-73页 |
| ·有效质量 | 第73-74页 |
| ·光学性质 | 第74-76页 |
| ·本章小结 | 第76-78页 |
| 第五章 结论 | 第78-80页 |
| 参考文献 | 第80-86页 |
| 致谢 | 第86-88页 |
| 研究成果及发表的学术论文 | 第88-90页 |
| 作者和导师简介 | 第90-91页 |