| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-11页 |
| 第1章 绪论 | 第11-27页 |
| ·引言 | 第11-12页 |
| ·正电子及正电子湮没 | 第12-14页 |
| ·正电子的产生 | 第12-13页 |
| ·正电子湮没过程 | 第13-14页 |
| ·正电子湮没率 | 第14页 |
| ·正电子湮没技术 | 第14-17页 |
| ·正电子湮没技术的发展与现状 | 第14-16页 |
| ·正电子湮没寿命谱技术 | 第16-17页 |
| ·正电子湮没寿命谱技术在材料科学中的应用 | 第17-19页 |
| ·空位型缺陷的研究 | 第17-18页 |
| ·相变的研究 | 第18-19页 |
| ·正电子湮没寿命谱技术在非晶纳米晶的应用 | 第19-24页 |
| ·正电子湮没寿命谱技术在非晶的应用 | 第19-22页 |
| ·正电子湮没寿命谱技术在纳米晶的应用 | 第22-24页 |
| ·本课题研究意义、目的及内容 | 第24-27页 |
| ·课题研究意义 | 第24-25页 |
| ·研究目的及内容 | 第25-27页 |
| 第2章 正电子湮没寿命谱技术实验原理 | 第27-41页 |
| ·正电子湮没寿命谱仪工作原理 | 第27-28页 |
| ·正电子源及样品的制备 | 第28-29页 |
| ·正电子源的制备 | 第28页 |
| ·样品的制备 | 第28-29页 |
| ·正电子湮没寿命谱仪各单元器件的工作原理 | 第29-33页 |
| ·塑料闪烁体探测器 | 第29-30页 |
| ·恒比定时甄别器(CFDD) | 第30-31页 |
| ·时间幅度转换器(TAC) | 第31-32页 |
| ·符合电路 | 第32页 |
| ·多道分析器(MCB) | 第32-33页 |
| ·谱仪参数选择和标定 | 第33-36页 |
| ·能量标定 | 第33-35页 |
| ·能窗的选择 | 第35页 |
| ·时间的刻度 | 第35-36页 |
| ·谱仪时间分辨率的标定 | 第36页 |
| ·寿命谱数据分析 | 第36-39页 |
| ·捕获模型 | 第36-38页 |
| ·寿命谱解谱程序介绍 | 第38-39页 |
| ·本章小结 | 第39-41页 |
| 第3章 正电子湮没寿命谱仪的调试 | 第41-57页 |
| ·能量标定 | 第41-48页 |
| ·起始道能量标定 | 第43-46页 |
| ·终止道能量标定 | 第46-48页 |
| ·能窗的选择 | 第48-49页 |
| ·时间刻度 | 第49-54页 |
| ·时间刻度时谱仪的两种接线方式 | 第50-51页 |
| ·两种接线结果对比 | 第51-54页 |
| ·寿命谱仪稳定性的测量 | 第54-56页 |
| ·本章小结 | 第56-57页 |
| 第4章 非晶样品的寿命谱测试 | 第57-69页 |
| ·铁样品的寿命谱测量 | 第57-58页 |
| ·四种铁基非晶样品的寿命谱测量 | 第58-62页 |
| ·退火处理铁基非晶的寿命谱测量 | 第62-67页 |
| ·退火处理Fe_(78)B_(13)Si_9的寿命谱测量 | 第63-65页 |
| ·退火处理Fe_(43)Co_(43)Hf_7B_6Cu_1的正电子寿命谱测量 | 第65-67页 |
| ·本章小结 | 第67-69页 |
| 第5章 结论 | 第69-71页 |
| ·结论 | 第69-71页 |
| 参考文献 | 第71-77页 |
| 致谢 | 第77页 |