磁场增强等离子体辅助原子层沉积氮化铝及其光学性能研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-25页 |
| ·等离子体化学气相沉积原理 | 第9-10页 |
| ·原子层沉积（ALD）原理和应用方向 | 第10-13页 |
| ·ALD 原理 | 第11-12页 |
| ·ALD 应用方向 | 第12-13页 |
| ·发光器件的发展和研究方向 | 第13-15页 |
| ·原子层沉积发光器件的研究 | 第14-15页 |
| ·氮化铝（AlN）薄膜概述 | 第15-23页 |
| ·AlN 的结构与特性 | 第15-17页 |
| ·AlN 薄膜的制备方法 | 第17-21页 |
| ·AlN 作为发光材料的应用及其存在的问题 | 第21-23页 |
| ·课题的目的、意义及研究内容 | 第23-25页 |
| ·课题研究的目的及意义 | 第23页 |
| ·主要研究内容 | 第23-25页 |
| 第二章 实验装置、薄膜性能测量和结构表征 | 第25-42页 |
| ·磁场增强等离子体辅助原子层沉积的实验装置 | 第25-27页 |
| ·等离子体产生系统 | 第25-26页 |
| ·真空获得系统 | 第26页 |
| ·气路系统 | 第26页 |
| ·冷却系统 | 第26页 |
| ·磁场产生系统 | 第26-27页 |
| ·氮化铝薄膜的沉积工艺流程 | 第27-28页 |
| ·基体材料的处理工艺 | 第27页 |
| ·沉积氮化铝的工艺流程 | 第27-28页 |
| ·薄膜结构分析和性能测量、等离子体参数测量 | 第28-40页 |
| ·成分组成分析 | 第28-31页 |
| ·微观结构分析 | 第31-34页 |
| ·光学性质分析 | 第34-40页 |
| ·台阶轮廓仪 | 第40页 |
| ·等离子体的在线发射光谱测量（OES） | 第40-42页 |
| 第三章 AlN 薄膜的制备、生长机理及杂质缺陷 | 第42-64页 |
| ·AlN 薄膜原子层沉积 | 第42-44页 |
| ·减少杂质提高纯度的方法 | 第44-51页 |
| ·真空室预处理 | 第44-48页 |
| ·气体流量、输入时间 | 第48-51页 |
| ·磁场强度 | 第51-53页 |
| ·沉积温度 | 第53-55页 |
| ·放电方式和放电功率 | 第55-60页 |
| ·放电方式 | 第55-59页 |
| ·放电功率 | 第59-60页 |
| ·退火方式和温度 | 第60-61页 |
| ·反应机理的推测 | 第61-62页 |
| ·小结 | 第62-64页 |
| 第四章 氮化铝薄膜的光学性质 | 第64-70页 |
| ·常规光学参数的In-SituSE测量 | 第64-65页 |
| ·光致发光测量 | 第65-68页 |
| ·磁场强度影响 | 第65-67页 |
| ·沉积温度的影响 | 第67-68页 |
| ·退火处理 | 第68页 |
| ·小结 | 第68-70页 |
| 第五章 结论及展望 | 第70-72页 |
| ·本文的主要研究成果与结论 | 第70页 |
| ·本文的创新之处 | 第70-71页 |
| ·进一步工作展望 | 第71-72页 |
| 致谢 | 第72-73页 |
| 参考文献 | 第73-76页 |
| 硕士期间发表的学术论文 | 第76页 |
