| 摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-22页 |
| ·课题研究背景 | 第11-14页 |
| ·半导体存储器发展历史与分类 | 第11-13页 |
| ·低功耗SRAM 的研究意义 | 第13-14页 |
| ·低功耗技术综述 | 第14-16页 |
| ·近阈值/亚阈值计算理论 | 第15页 |
| ·能量回收技术 | 第15页 |
| ·元器件工艺改进 | 第15-16页 |
| ·动态电压缩放技术 | 第16页 |
| ·功率门控技术 | 第16页 |
| ·近阈值技术综述 | 第16-19页 |
| ·国内外研究现状 | 第19-20页 |
| ·本文工作和章节结构 | 第20-22页 |
| 第二章 SRAM 概述 | 第22-32页 |
| ·SRAM 的体系架构 | 第22-23页 |
| ·SRAM 存储单元 | 第23-28页 |
| ·SRAM 保持数据原理 | 第26页 |
| ·SRAM 写数据原理 | 第26-27页 |
| ·SRAM 读数据原理 | 第27-28页 |
| ·外围电路 | 第28-31页 |
| ·地址译码电路 | 第29页 |
| ·读写控制电路 | 第29-30页 |
| ·灵敏放大电路 | 第30页 |
| ·其余外围结构 | 第30-31页 |
| ·本章小结 | 第31-32页 |
| 第三章 近阈值SRAM 存储单元设计 | 第32-52页 |
| ·SRAM 存储单元架构设计 | 第32-40页 |
| ·近阈值下传统6T SRAM 的缺陷 | 第32-37页 |
| ·近阈值下SRAM 存储单元架构设计 | 第37-40页 |
| ·近阈值下SRAM 存储电路晶体管参数设计 | 第40-45页 |
| ·晶体管参考模型 | 第40-42页 |
| ·晶体管阈值电压的设计 | 第42-43页 |
| ·晶体管宽长比的设计 | 第43-45页 |
| ·近阈值下7T SRAM 的HSPICE 仿真验证 | 第45-50页 |
| ·写数据时序仿真 | 第45-47页 |
| ·读数据时序仿真 | 第47-50页 |
| ·性能评估 | 第50-51页 |
| ·本章小结 | 第51-52页 |
| 第四章 近阈值SRAM 外围电路设计 | 第52-62页 |
| ·地址译码电路设计 | 第52-57页 |
| ·译码电路结构 | 第53-55页 |
| ·信号选择电路结构 | 第55-57页 |
| ·灵敏放大电路设计 | 第57-60页 |
| ·其余外围电路 | 第60-61页 |
| ·本章小结 | 第61-62页 |
| 第五章 总结与展望 | 第62-64页 |
| ·总结 | 第62页 |
| ·展望 | 第62-64页 |
| 参考文献 | 第64-67页 |
| 附录 | 第67-71页 |
| 致谢 | 第71-72页 |
| 攻读硕士学位期间已发表或录用的论文 | 第72-74页 |