0.18um CMOS工艺低噪声放大器的电路及版图设计
| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 引言 | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-12页 |
| ·射频集成电路在无线通信技术发展中的重要性 | 第7页 |
| ·无线接收机的结构 | 第7-8页 |
| ·工艺技术的选择 | 第8-9页 |
| ·蓝牙技术 | 第9页 |
| ·CMOS射频前端中的低噪声放大器 | 第9-11页 |
| ·论文的组织结构 | 第11-12页 |
| 第二章 射频集成电路中的无源元件 | 第12-19页 |
| ·电阻 | 第12-13页 |
| ·电容 | 第13-14页 |
| ·电感 | 第14-19页 |
| 第三章 有源器件MOSFET | 第19-24页 |
| ·二阶效应 | 第19-20页 |
| ·短沟道效应 | 第20-22页 |
| ·高频小信号模型 | 第22-24页 |
| 第四章 低噪声放大器的噪声 | 第24-33页 |
| ·器件噪声 | 第24-26页 |
| ·二端口网络噪声理论 | 第26-30页 |
| ·LNA噪声系数的计算 | 第30-32页 |
| ·本章小结 | 第32-33页 |
| 第五章 CMOS射频低噪声放大器的设计 | 第33-43页 |
| ·MOSFETLNA的拓扑结构 | 第33-37页 |
| ·功耗限制下的噪声优化 | 第37-39页 |
| ·低噪声放大器的设计与仿真 | 第39-41页 |
| ·本章小结 | 第41-43页 |
| 第六章 低噪声放大器的版图设计 | 第43-60页 |
| ·射频集成电路版图的重要性 | 第43-44页 |
| ·模拟电路版图设计基础—基本元器件的版图 | 第44-47页 |
| ·寄生参数 | 第47-50页 |
| ·匹配 | 第50-52页 |
| ·噪声问题 | 第52-55页 |
| ·闩锁效应 | 第55-56页 |
| ·天线效应 | 第56-57页 |
| ·低噪声放大器的版图设计 | 第57-59页 |
| ·本章小结 | 第59-60页 |
| 第七章 总结 | 第60-61页 |
| 参考文献 | 第61-63页 |
| 致谢 | 第63-64页 |
