离子注入GaN的光学和电学特性研究
| 摘要 | 第1-8页 |
| Abstract | 第8-10页 |
| 1.前言 | 第10-28页 |
| §1.1 GaN研究概述 | 第10-12页 |
| §1.2 GaN生长技术 | 第12-17页 |
| ·GaN薄膜的生长方法 | 第12-16页 |
| ·衬底材料 | 第16-17页 |
| ·缓冲层 | 第17页 |
| §1.3 GaN器件应用 | 第17-18页 |
| §1.4 GaN的掺杂 | 第18-20页 |
| §1.5 立题思路及主要研究工作 | 第20-28页 |
| 2.理论及实验方法 | 第28-46页 |
| §2.1 GaN中的缺陷及杂质 | 第28-34页 |
| ·GaN的本征缺陷 | 第28-32页 |
| ·GaN中杂质相关的缺陷 | 第32-33页 |
| ·GaN中复合体缺陷 | 第33-34页 |
| §2.2 GaN中基本的辐射跃迁过程 | 第34-37页 |
| §2.3 离子注入 | 第37-42页 |
| ·离子注入材料的物理过程 | 第37-40页 |
| ·注入离子在靶中的浓度分布 | 第40-41页 |
| ·单晶靶中离子注入的沟道效应 | 第41-42页 |
| §2.4 离子注入GaN的退火理论 | 第42-44页 |
| ·离子注入退火目的 | 第42-43页 |
| ·离子注入的退火方法 | 第43页 |
| ·离子注入退火所存在的困难 | 第43-44页 |
| §2.5 共注理论 | 第44-46页 |
| 3.实验过程 | 第46-52页 |
| §3.1 GaN样品的准备 | 第46页 |
| §3.2 GaN样品的薄膜厚度 | 第46-47页 |
| §3.3 GaN样品的离子注入 | 第47-51页 |
| §3.4 离子注入GaN样品的退火 | 第51-52页 |
| 4.离子注入GaN的光致发光研究 | 第52-77页 |
| §4.1 引言 | 第52页 |
| §4.2 实验部分 | 第52-53页 |
| §4.3 结果与讨论 | 第53-76页 |
| §4.4 结论 | 第76-77页 |
| 5.离子注入GaN的拉曼散射研究 | 第77-95页 |
| §5.1 引言 | 第77页 |
| §5.2 实验部分 | 第77-78页 |
| §5.3 结果与讨论 | 第78-94页 |
| §5.4 结论 | 第94-95页 |
| 6.离子注入GaN的电学特性研究 | 第95-98页 |
| §6.1 引言 | 第95页 |
| §6.2 实验部分 | 第95页 |
| §6.3 结果与讨论 | 第95-97页 |
| §6.4 结论 | 第97-98页 |
| 7.论文结论 | 第98-100页 |
| 8.实验需改进之处及展望 | 第100-101页 |
| 参考文献 | 第101-115页 |
| 博士期间发表的论文 | 第115-116页 |
| 致谢 | 第116页 |
