| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-11页 |
| 1 绪言 | 第11-24页 |
| ·CMOS 集成电路的发展历史 | 第11-12页 |
| ·MOSFET 的等比例缩小规律与高k 栅介质的使用 | 第12-15页 |
| ·高迁移率Ge 及SiGe 材料应用概况 | 第15-17页 |
| ·高k 栅介质Ge MOS 器件的研究进展 | 第17-19页 |
| ·高k 栅介质MOSFET 迁移率退化的理论研究 | 第19-21页 |
| ·本文的主要研究内容和结构安排 | 第21-24页 |
| 2 应变SiGe p-MOSFET 低场迁移率模型 | 第24-36页 |
| ·应变SiGe 中物理量随应力的变化 | 第24-28页 |
| ·应变SiGe 的迁移率模型 | 第28-32页 |
| ·模拟结果与分析 | 第32-35页 |
| ·本章小结 | 第35-36页 |
| 3 叠层高k 栅介质MOSFET 中的远程散射对迁移率的影响 | 第36-57页 |
| ·Boltzman 输运理论 | 第36-44页 |
| ·远程界面粗糙散射 | 第44-50页 |
| ·远程库仑散射 | 第50页 |
| ·计算结果和讨论 | 第50-55页 |
| ·本章小结 | 第55-57页 |
| 4 叠层高k 栅介质MOS 电容制备工艺及电性能研究 | 第57-80页 |
| ·样品制备工艺 | 第57-61页 |
| ·MOS 器件电参数的提取 | 第61-68页 |
| ·HfTaO 栅介质Ge MOS 电容退火工艺研究 | 第68-71页 |
| ·叠层HfTaO(N)/AlON 栅介质MOS 电容制备及电特性分析 | 第71-75页 |
| ·叠层HfTaO(N)/TaON 栅介质MOS 电容制备及电特性分析 | 第75-79页 |
| ·本章小结 | 第79-80页 |
| 5 叠层高k 栅介质Ge pMOSFET 的制备及电性能研究 | 第80-102页 |
| ·高k 栅介质Ge pMOSFET 制备工艺流程 | 第80-83页 |
| ·MOSFET 电参数的提取 | 第83-88页 |
| ·叠层HfO_2/TaON 栅介质Ge pMOSFET 制备及电特性分析 | 第88-94页 |
| ·叠层HfO_2/HfON 栅介质Ge pMOSFET 制备及电特性分析 | 第94-98页 |
| ·迁移率的模型分析 | 第98-101页 |
| ·本章小结 | 第101-102页 |
| 6 结论与展望 | 第102-105页 |
| ·总结 | 第102-103页 |
| ·展望 | 第103-105页 |
| 致谢 | 第105-107页 |
| 参考文献 | 第107-116页 |
| 附录 攻读博士学位期间发表的论文 | 第116页 |
