| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-12页 |
| 第一章 绪论 | 第12-32页 |
| ·场致发射技术的发展历史 | 第12-18页 |
| ·场发射阵列的技术进展 | 第18-21页 |
| ·门控金属、半导体阵列场发射体 | 第18-19页 |
| ·金刚石、碳膜与其它宽禁带场发射阵列 | 第19-20页 |
| ·铁电体场发射阵列 | 第20-21页 |
| ·长纤维场发射阵列 | 第21页 |
| ·场发射阵列阴极应用 | 第21-28页 |
| ·场发射平板显示 | 第21-23页 |
| ·在微波管中的应用 | 第23-26页 |
| ·场发射传感器 | 第26-28页 |
| ·六硼化镧场发射阵列阴极研究的目的和意义 | 第28-31页 |
| ·课题的研究内容 | 第31-32页 |
| 第二章 场致发射阵列阴极的模拟计算 | 第32-54页 |
| ·场发射机理 | 第32-38页 |
| ·金属场致发射理论 | 第33-35页 |
| ·FN公式的适用性 | 第35页 |
| ·半导体场致发射 | 第35-37页 |
| ·内场致发射 | 第37页 |
| ·空间电荷效应 | 第37-38页 |
| ·数值模拟计算的理论依据 | 第38-43页 |
| ·基本计算方程 | 第38-39页 |
| ·数学模型及边界条件 | 第39-40页 |
| ·二维拉普拉斯方程的离散化 | 第40-42页 |
| ·差分方程组的求解 | 第42-43页 |
| ·LaB_6场发射三级管模拟计算结果 | 第43-49页 |
| ·计算模型 | 第44-45页 |
| ·数值模拟结果分析 | 第45-49页 |
| ·场发射电子束的聚焦 | 第49-54页 |
| 第三章 六硼化镧材料特性与场发射应用 | 第54-60页 |
| ·六硼化镧的材料特性 | 第54-57页 |
| ·硼化物的性质与特点 | 第54-56页 |
| ·六硼化镧材料的物理化学特性 | 第56-57页 |
| ·六硼化镧材料在场发射中的应用 | 第57-60页 |
| 第四章 单晶六硼化镧单尖锥的场发射性能研究 | 第60-67页 |
| ·单尖锥LaB_6单晶场发射阴极的制备 | 第60-61页 |
| ·单尖锥LaB_6单晶场发射阴极的测试结果与分析 | 第61-63页 |
| ·单尖锥LaB_6单晶场发射阴极的激活处理 | 第63-64页 |
| ·单尖锥LaB_6单晶场发射阴极的稳定度 | 第64-65页 |
| ·电化学腐蚀方法制备单晶LaB_6场发射尖锥阵列 | 第65-67页 |
| 第五章 六硼化镧薄膜的电子束蒸发沉积及逸出功的测量 | 第67-79页 |
| ·电子束蒸发沉积装置 | 第67-69页 |
| ·薄膜的结构与成份分析 | 第69-73页 |
| ·LaB_6薄膜的逸出功测量 | 第73-77页 |
| ·热发射逸出功的测量 | 第73-74页 |
| ·场发射逸出功的测量 | 第74-77页 |
| ·蒸发电子枪的改进 | 第77-79页 |
| 第六章 六硼化镧场发射阵列阴极制作 | 第79-106页 |
| ·场发射阵列阴极制备工艺原理 | 第79-88页 |
| ·硅片的选择与清洗 | 第80-81页 |
| ·氧化工艺 | 第81-84页 |
| ·光刻工艺 | 第84-85页 |
| ·刻蚀工艺 | 第85-88页 |
| ·微尖阵列场发射阴极制备工艺概述 | 第88-92页 |
| ·Spindt型微尖阵列场发射阴极制备工艺概述 | 第89-90页 |
| ·Spindt型场发射阴极栅极孔腔阵列制备 | 第90-91页 |
| ·LOCOS场发射阵列的制备工艺过程 | 第91-92页 |
| ·孔腔刻蚀工艺 | 第92-94页 |
| ·LaB_6尖锥阵列的电子束蒸发制备 | 第94-104页 |
| ·尖锥的成形 | 第96-98页 |
| ·牺牲层材料研究 | 第98-104页 |
| ·Spindt结构场发射阴极尖锥高度的调节 | 第104-106页 |
| 第七章 LaB_6场发射阵列阴极测试 | 第106-115页 |
| ·测量三极管结构制作 | 第106-108页 |
| ·测量电路原理 | 第108-110页 |
| ·测量结果与分析 | 第110-112页 |
| ·LaB_6场发射阴极的发射特性 | 第110-112页 |
| ·LaB_6场发射阴极的发射稳定性 | 第112页 |
| ·LOCOS场发射阴极的短路原因分析 | 第112-115页 |
| 第八章 结论 | 第115-118页 |
| ·本论文的总结 | 第115-116页 |
| ·下一步工作建议 | 第116-118页 |
| 致谢 | 第118-119页 |
| 参考文献 | 第119-126页 |
| 攻博期间取得的研究成果 | 第126页 |