磁控溅射过程中溅射产额及靶材刻蚀的模拟计算研究
| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-13页 |
| 第一章 绪论 | 第13-27页 |
| ·引言 | 第13-14页 |
| ·磁控溅射的基本理论 | 第14-18页 |
| ·辉光放电现象 | 第15-16页 |
| ·磁控溅射的工作原理 | 第16-17页 |
| ·磁控溅射的特点 | 第17-18页 |
| ·电磁场的基本理论 | 第18-21页 |
| ·电磁场理论产生的背景 | 第18-19页 |
| ·电磁场的计算方法分类 | 第19-20页 |
| ·解析法 | 第19页 |
| ·数值法 | 第19-20页 |
| ·电磁场数值计算的几种重要方法 | 第20页 |
| ·有限差分法 | 第20页 |
| ·有限单元法 | 第20页 |
| ·电磁场的基本定律—麦克斯韦方程组 | 第20-21页 |
| ·磁控溅射技术及靶材刻蚀的研究现状 | 第21-25页 |
| ·磁控溅射技术的研究现状 | 第21-23页 |
| ·靶材刻蚀的研究现状 | 第23-25页 |
| ·本论文的主要内容 | 第25-27页 |
| 第二章 靶材溅射过程的模拟 | 第27-47页 |
| ·靶材溅射的机理及模拟方法 | 第27-29页 |
| ·入射离子与靶原子间的相互作用 | 第27-28页 |
| ·靶材的溅射过程 | 第28-29页 |
| ·溅射的计算机模拟方法 | 第29页 |
| ·溅射碰撞过程的计算机模拟 | 第29-40页 |
| ·模型 | 第29-39页 |
| ·程序编写及流程控制 | 第39-40页 |
| ·模拟结果及分析 | 第40-46页 |
| ·入射离子的深度分布 | 第41页 |
| ·溅出原子的能量分布 | 第41-43页 |
| ·溅出原子的角度分布 | 第43-44页 |
| ·溅射产额的变化规律 | 第44-46页 |
| ·溅射产额与入射离子能量的关系 | 第44-45页 |
| ·溅射产额与入射离子角度的关系 | 第45-46页 |
| ·本章小结 | 第46-47页 |
| 第三章 靶材刻蚀形貌的模拟 | 第47-58页 |
| ·靶分析和设计的通行方法 | 第47-48页 |
| ·本章采用的靶分析的方法 | 第48-52页 |
| ·电子在电磁场中的运动分析 | 第48-50页 |
| ·模拟靶材刻蚀的模型 | 第50-52页 |
| ·靶材的优化设计 | 第52-56页 |
| ·外加磁环的计算结果及分析 | 第53页 |
| ·磁环参数变化的计算结果及分析 | 第53-56页 |
| ·小结 | 第56-58页 |
| 第四章 结论 | 第58-59页 |
| 参考文献 | 第59-62页 |
| 个人论文 | 第62-63页 |
| 附录1 溅射过程的模拟程序 | 第63-77页 |
| 附录2 靶材刻蚀形貌的模拟程序 | 第77-78页 |
