| 摘要 | 第1-8页 |
| Abstract | 第8-10页 |
| 第一章 信息存储技术概述 | 第10-22页 |
| ·引言 | 第10页 |
| ·传统硅基半导体存储器 | 第10-11页 |
| ·新型无机存储器 | 第11-14页 |
| ·新型有机存储器 | 第14-19页 |
| ·有机电双稳材料的基本特征 | 第14-15页 |
| ·一次写入可读出有机存储器储 | 第15页 |
| ·电可擦写可读出有机存储器 | 第15-18页 |
| ·基于SPM技术的有机存 | 第18-19页 |
| ·研究思路和本文的工作 | 第19-22页 |
| 第二章 有机半导体存储的工作机理 | 第22-34页 |
| ·有机半导体材料 | 第22-23页 |
| ·有机半导体中的电荷转移 | 第23-25页 |
| ·分子内电荷转移 | 第24页 |
| ·分子间电荷转移 | 第24-25页 |
| ·有机半导体内的电流模式 | 第25-28页 |
| ·弹道传输 | 第25-26页 |
| ·Schottky发射 | 第26页 |
| ·Fowler-Nordheim隧穿 | 第26页 |
| ·Poole-Frenkel发射 | 第26-27页 |
| ·空间电荷限制电流 | 第27-28页 |
| ·有机存储器的开关模型 | 第28-33页 |
| ·Filament模型 | 第28-29页 |
| ·离子扩散 | 第29-30页 |
| ·金属/有机界面及介质内电荷俘获与释放 | 第30-31页 |
| ·晶体结构或分子结构变化 | 第31-32页 |
| ·电荷转移络合物 | 第32-33页 |
| ·小结 | 第33-34页 |
| 第三章 实验方法 | 第34-40页 |
| ·实验方法概述 | 第34页 |
| ·实验用材料与有机分子 | 第34-36页 |
| ·实验用材料 | 第34-35页 |
| ·实验用有机分子材料 | 第35-36页 |
| ·实验仪器与设备 | 第36-37页 |
| ·器件的制备工艺 | 第37-38页 |
| ·测试方法 | 第38-40页 |
| 第四章 基于BN4分子的M-O-M结构薄膜器件的电存储特性 | 第40-55页 |
| ·引言 | 第40页 |
| ·实验 | 第40页 |
| ·实验结果与讨论 | 第40-54页 |
| ·基于BN4分子薄膜器件的开关及存储特性 | 第40-45页 |
| ·BN4分子基薄膜器件的界面特征 | 第45-48页 |
| ·电极扩散对BN4器件电特性的影响 | 第48-50页 |
| ·其他有机材料 | 第50-54页 |
| ·小结 | 第54-55页 |
| 第五章 基于HPYM分子的M-O-M结构薄膜器件的电存储特性 | 第55-84页 |
| ·引言 | 第55页 |
| ·实验 | 第55-57页 |
| ·有机分子HPYM | 第55-56页 |
| ·器件制备工艺及测量方法 | 第56-57页 |
| ·实验结果与讨论 | 第57-74页 |
| ·Al/HPYM/Ag薄膜器件的开关及存储特性 | 第57-59页 |
| ·紫外─可见吸收光谱及拉曼光谱 | 第59-61页 |
| ·器件界面形貌表征 | 第61-64页 |
| ·Al/HPYM/Ag器件导电模型 | 第64-65页 |
| ·工艺参数对器件电特性的影响 | 第65-72页 |
| ·Al/HPYM/Ag器件失效分析 | 第72-74页 |
| ·Al/Al_2O_3/HPYM/Ag器件的多重态记忆特性 | 第74-83页 |
| ·器件制备工艺 | 第74页 |
| ·伏安特性 | 第74-80页 |
| ·电流模型拟合 | 第80-82页 |
| ·电容、电导特性 | 第82-83页 |
| ·小结 | 第83-84页 |
| 第六章 M-O-M-O-M结构电可擦写可读出有机存储器 | 第84-91页 |
| ·引言 | 第84页 |
| ·器件制备工艺 | 第84-85页 |
| ·实验结果与讨论 | 第85-87页 |
| ·工艺参数对器件性能的影响 | 第87-89页 |
| ·不同的有机材料 | 第87-88页 |
| ·中间金属层厚度 | 第88-89页 |
| ·不同金属电极 | 第89页 |
| ·小结 | 第89-91页 |
| 第七章 结论与展望 | 第91-95页 |
| ·全文总结 | 第91-93页 |
| ·展望 | 第93-95页 |
| 附录 电学测量方法的误差分析 | 第95-98页 |
| 参考文献 | 第98-110页 |
| 发表论文及专利 | 第110-112页 |
| 后记 | 第112-113页 |
