| 摘要 | 第1-8页 |
| Abstract | 第8-14页 |
| 第一章 MgB_2超导体简介 | 第14-37页 |
| §1.1 MgB_2的发现 | 第14页 |
| §1.2 MgB_2的结构 | 第14-15页 |
| §1.3 MgB_2的基本性质 | 第15-18页 |
| §1.3.1 同位素效应 | 第15-16页 |
| §1.3.2 霍尔效应 | 第16页 |
| §1.3.4 高压对MgB_2超导体的影响 | 第16-17页 |
| §1.3.5 能隙测量 | 第17页 |
| §1.3.6 相干长度 | 第17-18页 |
| §1.3.7 不存在弱连接 | 第18页 |
| §1.4 MgB_2的研究现状 | 第18-26页 |
| §1.4.1 块材 | 第18-19页 |
| §1.4.2 线材带材 | 第19-20页 |
| §1.4.3 薄膜 | 第20-25页 |
| §1.4.3.1 两步外退火方法制备MgB_2薄膜 | 第22-23页 |
| §1.4.3.2 两步原位后退火方法制备MgB_2薄膜 | 第23-24页 |
| §1.4.3.3 一步生长MgB_2薄膜 | 第24-25页 |
| §1.4.3.3.1 一步低温生长MgB_2薄膜 | 第24-25页 |
| §1.4.3.3.2 一步高温生长MgB_2薄膜 | 第25页 |
| §1.4.4 元素掺杂 | 第25-26页 |
| §1.4.5 MgB_2薄膜器件 | 第26页 |
| §1.5 本课题研究的内容与意义 | 第26-28页 |
| §1.5.1 本课题研究的意义 | 第26-27页 |
| §1.5.2 本课题研究的内容 | 第27-28页 |
| 参考文献 | 第28-37页 |
| 第二章 用电子束蒸发制备MgB_2超导薄膜 | 第37-51页 |
| §2.1 制备MgB_2的热力学理论参考 | 第37-42页 |
| §2.2 衬底的选取 | 第42-44页 |
| §2.3 制备MgB_2超导薄膜要注意的两个问题 | 第44-45页 |
| §2.4 用电子束蒸发原位退火制备MgB_2薄膜 | 第45-48页 |
| §2.4.1 衬底清洗 | 第46页 |
| §2.4.2 电子束蒸发制备(B+Mg)先驱膜 | 第46-48页 |
| §2.4.3 原位退火 | 第48页 |
| §2.5 实验设备 | 第48页 |
| §2.6 样品测量 | 第48-49页 |
| 参考文献 | 第49-51页 |
| 第三章 在单晶Si(111)和Al_2O_3(0001)衬底上制备MgB_2超导薄膜 | 第51-63页 |
| §3.1 在单晶Si衬底上制备的不具有超导性的MgB_2薄膜 | 第51-53页 |
| §3.1.1 衬底清洗 | 第51页 |
| §3.1.2 电子束蒸发沉积(B+Mg)先驱膜 | 第51页 |
| §3.1.3 原位退火制备MgB_2薄膜 | 第51-53页 |
| §3.2 在单晶Si和Al_2O_3衬底上制备MgB_2超导薄膜 | 第53-54页 |
| §3.2.1 Si(111)衬底清洗 | 第53页 |
| §3.2.2 Al_2O_3(0001)衬底清洗 | 第53页 |
| §3.2.3 电子束蒸发沉积(Mg+B)先驱膜 | 第53页 |
| §3.2.4 原位退火 | 第53-54页 |
| §3.3 相分析 | 第54-56页 |
| §3.4 表面形貌 | 第56页 |
| §3.5 超导转变温度 | 第56-60页 |
| §3.6 小结 | 第60页 |
| 参考文献 | 第60-63页 |
| 第四章 在Al_2O_3衬底上制备超导转变宽度为0.1K的MgB_2均匀超导薄膜 | 第63-68页 |
| §4.1 电子束蒸发沉积(Mg+B)先驱膜 | 第63页 |
| §4.2 超导转变温度 | 第63-66页 |
| §4.3 表面形貌 | 第66-67页 |
| §4.4 小结 | 第67-68页 |
| 第五章 在无缓冲层Si衬底上制备高质量MgB_2超导薄膜 | 第68-85页 |
| §5.1 沉积带"缓冲层"的(B+Mg)先驱膜 | 第68-69页 |
| §5.2 B"缓冲层"作用 | 第69-71页 |
| §5.3 热处理温度对MgB_2超导相的影响 | 第71-76页 |
| §5.4 电阻率讨论 | 第76-77页 |
| §5.5 热处理时间对MgB_2超导相的影响 | 第77-81页 |
| §5.6 小结 | 第81-83页 |
| 参考文献 | 第83-85页 |
| 第六章 结论与展望 | 第85-88页 |
| §6.1 结论 | 第85-87页 |
| §6.2 问题与展望 | 第87-88页 |
| 作者在攻读博士学位期间发表的论文 | 第88-89页 |
| 致谢 | 第89页 |
