| 中文摘要 | 第1-4页 |
| 英文摘要 | 第4-5页 |
| 目录 | 第5-6页 |
| 引言 | 第6-7页 |
| 第一章 实验意义及前景展望 | 第7-12页 |
| 第一节 中子管技术的发展 | 第7-10页 |
| 第二节 实验意义及实验前景 | 第10-12页 |
| 第二章 理论基础 | 第12-19页 |
| 第一节 NT50型自成靶陶瓷中子管的原理和结构 | 第12-14页 |
| 第二节 离子源工作原理和放电特性 | 第14-16页 |
| 第三节 真空测量知识 | 第16-19页 |
| 第三章 离子源特性实验 | 第19-25页 |
| 第一节 实验装置的设计 | 第19-20页 |
| 第二节 实验方法 | 第20-21页 |
| 第三节 实验数据 | 第21-25页 |
| 第四章 实验结果分析 | 第25-31页 |
| 第一节 磁场强度为0.4T时的离子源放电特性 | 第25-27页 |
| 第二节 改变磁场强度时的离子源放电特性 | 第27-31页 |
| 结论 | 第31-32页 |
| 参考文献 | 第32-34页 |
| 致谢 | 第34页 |