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矩形单元阵列的磁化强度的不均匀性及不均匀激发的实验和理论研究

摘  要第1-5页
ABSTRACT第5-9页
第一章 绪  论第9-22页
   ·引言第9-10页
   ·图形薄膜的重要性及研究现状第10-11页
   ·基本概念第11-19页
     ·磁畴第11页
     ·交换作用第11-12页
     ·磁各向异性第12-14页
     ·静磁相互作用第14-16页
     ·自旋波第16-19页
   ·本论文工作第19页
 参考文献:第19-22页
第二章 基本实验方法及测试原理第22-33页
   ·薄膜的制备第22-27页
     ·直流磁控溅射法第22-23页
     ·射频溅射法第23-24页
     ·离子束溅射法第24-25页
     ·图形磁性结构物质的制备第25-26页
     ·基片的清洗第26-27页
   ·结构表征与物性测量第27-31页
     ·扫描电子显微镜(SEM)第27页
     ·铁磁共振和自旋波共振 (FMR及SWR)第27-29页
     ·磁光克尔效应(Surface Magneto-optic Kerr Effect,简称SMOKE)第29-31页
 参考文献第31-33页
第三章 电子束光刻亚微米矩形阵列坡莫合金薄膜的磁性研究第33-48页
   ·引言第33-34页
   ·薄膜样品的制备和测量手段第34页
   ·薄膜样品的结构分析(扫描电子显微镜(SEM)第34-35页
   ·磁光Kerr回线测量结果第35-37页
   ·铁磁共振研究第37-46页
     ·铁磁共振测量结果第37-38页
     ·对实验数据的理论模拟第38-41页
     ·拟合结果第41-43页
     ·图型薄膜中磁化强度的不均匀激发第43-46页
 参考文献:第46-48页
第四章 亚微米纳米图形薄膜矩形单元退磁场理论计算研究第48-61页
   ·前言第48页
   ·模型的提出和公式的推导第48-50页
   ·退磁场值分布的数值计算第50-56页
     ·计算磁场加在各个方向时个矩形单元内部中心轴线上的退磁场分布情况,研究沿单元中心轴线上退磁场的大小和不均匀性第50-54页
     ·、磁场沿单元各边的方向时,退磁场方向的分布研究第54-56页
   ·阵列单元相互影响的计算第56-60页
   ·本章小结第60页
 参考文献:第60-61页
攻读硕士期间发表论文第61-62页
致  谢第62页

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