| 第一章 绪论 | 第1-13页 |
| 1-1 GaAs表面硫钝化的发展与现状 | 第8-11页 |
| 1-1-1 引言 | 第8-9页 |
| 1-1-2 研究现状 | 第9-10页 |
| 1-1-3 应用前景 | 第10-11页 |
| 1-2 论文主要研究内容 | 第11-13页 |
| 第二章 砷化镓微波场效应晶体管的工作原理与制备工艺 | 第13-28页 |
| 2-1 砷化镓微波场效应晶体管和微波单片集成电路的发展及重要地位 | 第13-14页 |
| 2-2 GaAs MESFET的工作原理 | 第14-17页 |
| 2-2-1 GaAs MESFET的基本结构与工作原理 | 第14-15页 |
| 2-2-2 GaAs MESFET的主要特性 | 第15-17页 |
| 2-3 GaAs MESFET的制备工艺 | 第17-26页 |
| 2-3-1 图形光刻 | 第17-18页 |
| 2-3-2 肖特基势垒和欧姆接触 | 第18-21页 |
| 2-3-3 表面钝化 | 第21-23页 |
| 2-3-4 干法刻蚀与通路孔 | 第23-24页 |
| 2-3-5 湿法腐蚀 | 第24-25页 |
| 2-3-6 空气桥 | 第25-26页 |
| 2-4 GaAs MESFET的结构与制备 | 第26-28页 |
| 第三章 器件表面对GaAs MESFET击穿特性的影响 | 第28-40页 |
| 3-1 GaAs MESFET击穿特性研究现状 | 第28-29页 |
| 3-2 击穿模型 | 第29-38页 |
| 3-2-1 表面电势对GaAs MESFET栅漏击穿电压的影响 | 第29-33页 |
| 3-2-2 动态表面电荷模型 | 第33-38页 |
| 3-3 GaAs MESFET动态击穿特性测试 | 第38-40页 |
| 第四章 GaAs MESFET的硫钝化研究 | 第40-46页 |
| 4-1 硫钝化的机理 | 第40-41页 |
| 4-2 硫钝化实验 | 第41页 |
| 4-3 实验结果与分析 | 第41-46页 |
| 4-3-1 硫钝化对GaAs MESFET击穿电压的影响 | 第41-44页 |
| 4-3-2 硫钝化对GaAs MESFET源漏饱和电流的影响 | 第44-46页 |
| 第五章 硫钝化稳定性的改进措施 | 第46-53页 |
| 5-1 硫钝化稳定性问题 | 第46-47页 |
| 5-2 改进实验与结果讨论 | 第47-53页 |
| 5-2-1 实验方法 | 第47-49页 |
| 5-2-2 实验结果与分析 | 第49-51页 |
| 5-2-3 小结 | 第51-53页 |
| 第六章 结论 | 第53-54页 |
| 参考文献 | 第54-56页 |
| 致谢 | 第56-57页 |
| 攻读学位期间所取得的相关科研成果 | 第57页 |
