| 第一章 序言 | 第1-21页 |
| 1．1 高速数字电路电磁兼容研究概况 | 第6-15页 |
| 1．1．1 高速数字电路电磁兼容研究对象 | 第6-9页 |
| 1．1．2 高速数字电路电磁兼容研究方法 | 第9-11页 |
| 1．1．3 高速数字电路电磁兼容研究进展 | 第11-15页 |
| 1．2 本文的研究背景和主要工作 | 第15-16页 |
| 参考文献 | 第16-21页 |
| 第二章 时域有限差分法的新进展 | 第21-33页 |
| 2．1 PML吸收边界条件 | 第21-26页 |
| 2．1．1 二维PML吸收边界条件 | 第21-25页 |
| 2．1．2 三维PML吸收边界条件 | 第25-26页 |
| 2．2 非均匀网格结构的三维PML吸收边界条件 | 第26-29页 |
| 2．3 各向异性的PML吸收媒质 | 第29-32页 |
| 参考文献 | 第32-33页 |
| 第三章 微带电路的有效介电常数 | 第33-47页 |
| 3．1 微带线终端阻抗匹配的数值方法 | 第33-40页 |
| 3．1．1 在二维FDTD空间中模拟微带电路中的集总元件 | 第33-38页 |
| 3．1．2 在三维FDTD网格中模拟集总元件 | 第38-40页 |
| 3．2 微带电路中的有效介电常数的计算 | 第40-45页 |
| 3．3 小节 | 第45页 |
| 参考文献 | 第45-47页 |
| 第四章 高速数字微带电路中割裂地对信号完整性的影响 | 第47-62页 |
| 4．1 问题产生的背景 | 第47-48页 |
| 4．2 建模 | 第48-50页 |
| 4．3 数值模拟结果 | 第50-59页 |
| 4．4 分析 | 第59-60页 |
| 4．5 结论 | 第60页 |
| 4．6 小节 | 第60页 |
| 参考文献 | 第60-62页 |
| 第五章 不完整地对微带线间串扰的影响 | 第62-83页 |
| 5．1 问题背景 | 第62-63页 |
| 5．2 串扰的产生机制 | 第63-66页 |
| 5．2．1 容性耦合 | 第63-65页 |
| 5．2．2 感性耦合 | 第65-66页 |
| 5．2．3 总串扰值 | 第66页 |
| 5．3 相关研究工作 | 第66-70页 |
| 5．3．1 完整地平面上高速数字微带电路串扰的工程估算方法 | 第66-69页 |
| 5．3．2 不完整地平面上高速数字微带电路的串扰计算 | 第69-70页 |
| 5．4 用FDTD方法对微带电路间串扰的计算 | 第70-81页 |
| 5．4．1 微带电路间串扰问题模型的参数 | 第70-73页 |
| 5．4．2 数值结果与分析 | 第73-81页 |
| 5．5 结论 | 第81页 |
| 5．6 小节 | 第81-82页 |
| 参考文献 | 第82-83页 |
| 第六章 不完整地对微带电路辐射效应的影响 | 第83-106页 |
| 6．1 问题背景 | 第83页 |
| 6．2 天线理论计算微带线辐射场的新进展 | 第83-86页 |
| 6．3 不完整大地的辐射场 | 第86-104页 |
| 6．3．1 问题与建模 | 第86-88页 |
| 6．3．2 时域下的近场—远场转换 | 第88-92页 |
| 6．3．3 数值计算 | 第92-101页 |
| 6．3．4 数值结果分析 | 第101-104页 |
| 6．4 结论 | 第104页 |
| 6．5 小节 | 第104页 |
| 参考文献 | 第104-106页 |
| 第七章 内存可靠性的测试 | 第106-115页 |
| 7．1 内存测试的工程意义 | 第106页 |
| 7．2 内存测试的方法 | 第106-107页 |
| 7．3 测试电路的设计 | 第107-110页 |
| 7．4 实验设备的可靠性检验 | 第110-113页 |
| 7．5 内存测试 | 第113-114页 |
| 7．6 小节 | 第114-115页 |
| 攻读博士论文期间发表的论文 | 第115-116页 |
| 致谢 | 第116页 |
