| 摘要 | 第1-9页 |
| Abstract | 第9-12页 |
| 第一章 前言 | 第12-15页 |
| 第二章 文献综述 | 第15-38页 |
| ·ZnO基本性质 | 第15-17页 |
| ·ZnO能带结构与光电性能 | 第17-24页 |
| ·ZnO能带结构 | 第17-20页 |
| ·ZnO光学性能 | 第20-23页 |
| ·ZnO电学性能 | 第23-24页 |
| ·ZnO结构形态 | 第24-28页 |
| ·ZnO体单晶 | 第25页 |
| ·ZnO薄膜 | 第25-26页 |
| ·ZnO纳米结构 | 第26-28页 |
| ·ZnO缺陷与掺杂 | 第28-35页 |
| ·ZnO本征缺陷 | 第28-29页 |
| ·ZnO非故意掺杂及n型掺杂 | 第29-30页 |
| ·ZnOp型掺杂 | 第30-35页 |
| ·ZnO材料的应用 | 第35-38页 |
| 第三章 实验原理、生长工艺及评价手段 | 第38-51页 |
| ·反应磁控溅射 | 第38-43页 |
| ·磁控溅射原理 | 第38-41页 |
| ·实验原料及生长工艺 | 第41-43页 |
| ·MOCVD | 第43-48页 |
| ·MOCVD原理 | 第43-45页 |
| ·实验原料及生长工艺 | 第45-48页 |
| ·衬底及清洗方法 | 第48-49页 |
| ·测试方法 | 第49-51页 |
| 第四章 Al-N共掺法制备p型ZnO的研究 | 第51-60页 |
| ·衬底温度对Al-N共掺ZnO性能的影响 | 第51-56页 |
| ·Al含量对Al-N共掺ZnO性能的影响 | 第56-59页 |
| ·本章小结 | 第59-60页 |
| 第五章 Li:ZnO中一种新的p型掺杂元素 | 第60-73页 |
| ·Li掺杂制备p型ZnO薄膜 | 第60-64页 |
| ·Li掺杂p型ZnO的生长温度窗口 | 第64-65页 |
| ·Li掺杂p型ZnO的Li含量窗口 | 第65-70页 |
| ·ZnO同质p-n结的制备 | 第70-72页 |
| ·本章小结 | 第72-73页 |
| 第六章 等离子体辅助MOCVD生长非故意掺杂p型ZnO | 第73-81页 |
| ·非故意掺杂p型ZnO的生长与表征 | 第73-77页 |
| ·非故意掺杂p型ZnO中受主的研究 | 第77-80页 |
| ·本章小结 | 第80-81页 |
| 第七章 MOCVD生长ZnO:N薄膜及N掺杂机理的研究 | 第81-104页 |
| ·等离子体辅助生长p型ZnO:N薄膜 | 第81-90页 |
| ·ZnO:N薄膜电学与光学性能的研究 | 第81-86页 |
| ·ZnO:N中双受主行为的研究 | 第86-90页 |
| ·ZnO:N薄膜紫外光电导研究 | 第90-95页 |
| ·非等离子体辅助N掺杂生长p型ZnO | 第95-101页 |
| ·ZnO同质结LEDs原型器件的制备 | 第101-103页 |
| ·本章小结 | 第103-104页 |
| 第八章 关于ZnOp型掺杂的若干思考 | 第104-110页 |
| ·p型掺杂元素的选择 | 第104-108页 |
| ·V族N元素掺杂 | 第104-106页 |
| ·V族大尺寸元素掺杂 | 第106-107页 |
| ·I族元素掺杂 | 第107-108页 |
| ·p型ZnO生长方法的选择 | 第108-109页 |
| ·本章小结 | 第109-110页 |
| 第九章 MOCVD生长ZnO纳米线 | 第110-117页 |
| ·ZnO纳米线阵列的生长与表征 | 第110-114页 |
| ·ZnO纳米线的尺寸可控生长 | 第114-116页 |
| ·本章小结 | 第116-117页 |
| 第十章 MOCVD生长ZnO纳米点 | 第117-138页 |
| ·ZnO纳米点的可控生长 | 第117-122页 |
| ·ZnO纳米点光学性能的调控 | 第122-125页 |
| ·ZnO纳米点电学性能的调控 | 第125-131页 |
| ·ZnO/MgO准核壳结构纳米点的生长与表征 | 第131-137页 |
| ·本章小结 | 第137-138页 |
| 第十一章 结论 | 第138-141页 |
| 参考文献 | 第141-162页 |
| 致谢 | 第162-163页 |
| 博士期间发表论文和申请专利一览表 | 第163-165页 |